晶体管及电子设备的制作方法

1.一种晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极、栅极、金属氧化物层、第一掺杂区、源极接触掺杂区、漏极接触掺杂区、p型阱区、n型漂移区和衬底，

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括电荷平衡层，所述电荷平衡层位于所述第一掺杂区与所述n型漂移区之间，所述电荷平衡层分别与所述第一掺杂层和所述n型漂移区接触。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述电荷平衡层的掺杂浓度大于或等于1×1017cm-3且小于或等于1×1020cm-3。

4.根据权利要求2或3所述的晶体管，其特征在于，所述电荷平衡层在所述厚度方向上的尺寸大于或等于50nm且小于或等于500nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体管，其特征在于，所述源极与所述衬底电连接；

6.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括连接区，所述连接区用于连接所述源极与所述衬底，所述连接区包括高掺杂引出区和/或金属区。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的晶体管，其特征在于，所述p型阱区的掺杂浓度小于或等于5×1016cm-3。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的晶体管，其特征在于，所述第一区域在第一方向上的尺寸小于或等于0.5μm，所述第一方向为所述源极与所述漏极连接的方向。

9.一种晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极、栅极、gan层、algan层和调节岛，

10.根据权利要求9所述的晶体管，其特征在于，所述调节岛包括多个子调节岛，所述多个子调节岛之间间隔设置。

11.根据权利要求10所述晶体管，其特征在于，所述调节岛包括第一子调节岛、第二子调节岛和第三子调节岛，所述第二子调节岛位于所述第一子调节岛和所述第三子调节岛之间，所述第一子调节岛与所述栅极形成欧姆接触或肖特基接触，和/或，所述第三子调节岛与所述漏极之间形成欧姆接触或肖特基接触。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的晶体管，其特征在于，所述源极与所述衬底电连接；

13.根据权利要求12所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管还包括金属通孔，所述金属通孔用于连接所述源极与所述衬底。

14.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的晶体管，和/或，包括如权利要求9至13中任一项所述的晶体管。