传输腔室、晶圆传输装置、工艺腔室及半导体工艺设备的制作方法

1.一种传输腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的传输腔室，其特征在于，所述定位装置包括至少三个测距单元；至少三个所述测距单元均设置在所述传输腔体内部，且至少三个所述测距单元不位于同一条直线上；

3.根据权利要求2所述的传输腔室，其特征在于，所述测距单元为三个，分别为第一测距单元、第二测距单元、第三测距单元；所述晶圆传输装置在所述传输腔体中的位置满足以下公式：

4.一种晶圆传输装置，其特征在于，应用于权利要求1-3任意一项所述的传输腔室，所述晶圆传输装置包括：

5.根据权利要求4所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述晶圆传输装置还包括用于发射测距信号的信号发射模块；所述信号发射模块设置在所述承载部内部；

6.根据权利要求4所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述承载部上表面开设有用于放置晶圆的卡槽；所述卡槽的内周缘能够与所述晶圆的边缘相配合。

7.根据权利要求4所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述晶圆传输装置还包括角位移传感器；所述角位移传感器设置于所述承载部内部，用于检测所述晶圆传输装置的水平度并将检测到的水平度值发送至所述控制装置；

8.根据权利要求4所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述晶圆传输装置还包括至少一个对准部，所述对准部设置于所述承载部的侧面，且自所述承载部的侧面向远离该侧面的方向凸起；所述对准部用于与工艺腔室内部的夹持部件配合连接。

9.根据权利要求6所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述承载部中开设有多个进气通孔，多个所述进气通孔的出气口均开设在所述卡槽的底面上；多个所述进气通孔的进气口均开设在所述承载部的底面上，且均与外部气源连通，以通过所述进气通孔向位于所述卡槽中的晶圆底面吹气。

10.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室的进片口与权利要求1-3任意一项所述的传输腔室连通；

11.根据权利要求10所述的工艺腔室，其特征在于，多个所述第三磁性体均位于所述承载槽下方且磁极方向均与所述第一磁性体的磁极方向相同；

12.根据权利要求10所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室内部还设置有夹持部件，所述夹持部件设置在所述承载槽的边缘处，用于在所述晶圆传输装置位于所述承载槽中时，夹持所述晶圆传输装置的对准部；

13.根据权利要求10所述的工艺腔室，其特征在于，所述承载槽中设置有多条进气管道，多条所述进气管道的出气口均开设在所述承载槽的底面上，且均与所述晶圆传输装置的所述进气通孔对应设置，用以向所述进气通孔输送气体。

14.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：

15.根据权利要求14所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述传输腔室的所述控制装置包括至少一个处理器、至少一个存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序；所述处理器执行所述计算机程序时能够实现根据所述晶圆传输装置的位置信息以及预存的工艺腔室的位置信息，控制各个第二磁性体的磁性强度，以利用磁场力驱动所述晶圆传输装置到达目标位置。