功率模块及具有其的功率器件的制作方法
技术特征:
1.一种功率模块,其特征在于,所述功率模块包括衬板(10)和芯片(20),所述衬板(10)上设置有第一导电结构(11)和第二导电结构(12),所述第一导电结构(11)和所述第二导电结构(12)均为轴对称结构,所述第一导电结构(11)和所述第二导电结构(12)的对称轴均沿所述功率模块的长度方向延伸,所述第一导电结构(11)和所述第二导电结构(12)上均设置有所述芯片(20);
2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第一互连片(30)的宽度尺寸在1.5mm至3.0mm之间。
3.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第二互连片(40)的宽度尺寸在1.5mm至4.0mm之间。
4.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第一互连片(30)的宽度尺寸与所述芯片(20)的宽度尺寸的比值在0.3至0.6之间。
5.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,
6.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第一导电结构(11)和所述第二导电结构(12)上均设置有多个所述芯片(20),所述第一导电结构(11)上的多个所述芯片(20)和所述第二导电结构(12)上的多个所述芯片(20)均在所述对称轴的两侧对称排布;
7.根据权利要求6所述的功率模块,其特征在于,所述第一互连片(30)包括:
8.根据权利要求7所述的功率模块,其特征在于,
9.根据权利要求8所述的功率模块,其特征在于,
10.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述第二互连片(40)包括:
11.根据权利要求10所述的功率模块,其特征在于,
12.根据权利要求1至11中任一项所述的功率模块,其特征在于,所述第一导电结构(11)包括第一子导电层(111)和两个第二子导电层(112),所述第一子导电层(111)和所述第二子导电层(112)间隔设置,所述第一子导电层(111)的轴线与所述对称轴同轴,两个所述第二子导电层(112)在所述功率模块的宽度方向上分别位于所述第一子导电层(111)的两侧,两个所述第二子导电层(112)上均设置有所述芯片(20),两个所述第二子导电层(112)上的所述芯片(20)的上表面通过所述第一互连片(30)与所述第一子导电层(111)导电连接,所述第一子导电层(111)通过所述第二互连片(40)与所述第二导电结构(12)导电连接。
13.根据权利要求12所述的功率模块,其特征在于,所述第二导电结构(12)包括第三子导电层(121)和第四子导电层(122),所述第三子导电层(121)在所述功率模块的长度方向上朝向所述第一子导电层(111)的一端具有缺口(1211),所述第四子导电层(122)伸入所述缺口(1211)内,所述第四子导电层(122)的轴线与所述对称轴同轴,所述第三子导电层(121)在所述功率模块的宽度方向上位于所述缺口(1211)两侧的位置上均设置有所述芯片(20),所述第一子导电层(111)通过所述第二互连片(40)与所述第三子导电层(121)导电连接,所述第三子导电层(121)上的芯片(20)的上表面通过所述第一互连片(30)与所述第四子导电层(122)导电连接。
14.根据权利要求1至11中任一项所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块还包括控制组件(50),所述控制组件(50)包括安装基板(51)以及设置在所述安装基板(51)上的电阻元件(52);
15.一种功率器件,其特征在于,所述功率器件包括权利要求1至14中任一项所述的功率模块。
16.根据权利要求15所述的功率器件,其特征在于,所述功率器件包括两个所述功率模块(70),两个所述功率模块(70)在所述功率模块(70)的宽度方向上间隔排布且对称设置。
17.根据权利要求15所述的功率器件,其特征在于,所述功率器件还包括功率端子(60),所述功率端子(60)为板状结构,所述功率端子(60)包括顺次连接的端子脚板段(61)、第一板段(62)、第二板段(63)以及引出板段(64),所述端子脚板段(61)和所述第二板段(63)分别与所述第一板段(62)呈夹角设置,所述端子脚板段(61)和所述第二板段(63)的延伸方向相反,所述引出板段(64)设置在所述第二板段(63)的远离所述第一板段(62)的一端。
18.根据权利要求17所述的功率器件,其特征在于,所述功率端子(60)包括第一端子(65)、第二端子(66)以及第三端子(67),所述第一端子(65)的端子脚板段(61)的数量和所述第三端子(67)的端子脚板段(61)的数量均大于所述第二端子(66)的端子脚板段(61)的数量。
技术总结
本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件,该功率模块包括衬板和芯片,衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构,第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构,第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿功率模块的长度方向延伸,第一导电结构和第二导电结构上均设置有芯片;其中,功率模块还包括片状的第一互连片和第二互连片,芯片的上表面通过第一互连片与第一导电结构和/或第二导电结构导电连接,第一导电结构通过第二互连片与第二导电结构导电连接。通过本申请提供的技术方案,能够解决相关技术中的功率模块的散热能力较差的问题。
技术研发人员:周扬,马小杰,李学宝,王磊,赵志斌,崔翔
受保护的技术使用者:北京怀柔实验室
技术研发日:
技术公布日:2024/11/28
技术研发人员:周扬,马小杰,李学宝,王磊,赵志斌,崔翔
技术所有人:北京怀柔实验室
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