用于DC-DC转换器的浮动电平移位器的制作方法

本申请总体上涉及直流电到直流电(dc-dc)电压转换器的领域，并且更具体地，涉及用于这种电压转换器的浮动电平移位器。

背景技术：

1、dc到dc电压转换器(也称为功率转换器)对于将一个电压的电源转换为另一电压是有用的。例如，电压转换器可以将计算设备的主电源电压(例如，12v)向下转换为较低的电压(例如，5v、3.3v或1.8v)。较低的电压可以由计算设备中的各种组件使用。这些组件可以包括通用串行总线(usb)接口、诸如动态随机存取存储器(dram)之类的存储器和诸如中央处理单元(cpu)之类的处理资源。然而，在操作电压转换器时存在各种挑战。

技术实现思路

1.一种装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：感测和限幅电路，所述感测和限幅电路用于：对切换节点的电压进行感测和限幅，以及向所述顶部浮动电平移位器提供第一电压，并且向所述底部浮动电平移位器提供第二电压，其中，所述切换节点与电力传动系的所述高边晶体管和低边晶体管串联并且在所述电力传动系的所述高边晶体管和所述低边晶体管之间。

3.根据权利要求2所述的装置，其中：

4.根据权利要求2或3所述的装置，其中：

5.根据权利要求1或2所述的装置，还包括以下各项中的至少一个：电压转换器、功率管理集成电路、片上系统、系统级封装或计算设备，所述计算设备中设置有所述第一电平移位器、所述顶部浮动电平移位器、所述底部浮动电平移位器、所述复用器和所述驱动器。

6.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述第一电平移位器、所述顶部浮动电平移位器和所述底部浮动电平移位器是利用互补金属氧化物半导体(cmos)技术实现的，并且所述高边晶体管是在氮化镓衬底上制造的。

7.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述第一电平移位器、所述顶部浮动电平移位器和所述底部浮动电平移位器是在没有无源器件和没有横向扩散金属氧化物半导体器件的情况下实现的。

8.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述第一电平移位器、所述顶部浮动电平移位器和所述底部浮动电平移位器是全数字的。

9.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述第一电平移位器、所述顶部浮动电平移位器和所述底部浮动电平移位器中的每一个具有堆叠式配置。

10.根据权利要求1或2所述的装置，其中：

11.根据权利要求1或2所述的装置，还包括：

12.根据权利要求1或2所述的装置，其中：

13.一种电压转换器，包括：

14.根据权利要求13所述的电压转换器，其中，所述浮动电平移位器是全数字的、是在没有无源器件的情况下实现的、并且包括互补金属氧化物半导体(cmos)器件。

15.根据权利要求13或14所述的电压转换器，其中：

16.根据权利要求15所述的电压转换器，其中，在所述充电阶段中，所述浮动电平移位器用于在所述浮动电平移位器的输出处将为vdrv的输入信号移位到vdrv+vin。

17.一种装置，包括：

18.根据权利要求17所述的装置，其中：

19.根据权利要求17或18所述的装置，其中：

20.根据权利要求17或18所述的装置，其中，所述浮动电平移位器包括：

21.一种方法，包括：

22.一种包括机器可读指令的非暂时性机器可读存储装置，所述机器可读指令在被执行时，使处理器或其他电路或计算设备执行包括以下各项的方法：

23.根据权利要求22所述的非暂时性机器可读存储装置，其中，所述方法还包括：

24.根据权利要求22或23所述的非暂时性机器可读存储装置，其中，所述方法还包括：

25.根据权利要求23或24所述的非暂时性机器可读存储装置，其中，所述方法还包括：