半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器及电子设备与流程

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成第一电极层、沟道层和牺牲层，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，通过图形化处理，形成第一通槽和第二通槽，包括：

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，制作替代栅，包括：

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，制作第一介质层，包括：

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，制作栅极层，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，制作第二电极层，包括：

9.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用权利要求1至8中任一项所述的半导体结构的制备方法制作而成；所述半导体结构包括：

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，

11.一种存储器，其特征在于，包括：权利要求9或10所述的半导体结构。

12.一种电子设备，其特征在于，包括：