基板清洗装置及基板研磨装置的制作方法

本发明涉及一种清洗半导体晶片等基板的装置及具备该清洗装置的基板研磨装置。
背景技术:
1、研磨半导体晶片等基板的表面的研磨装置具备研磨模块、清洗模块和基板搬送机构。研磨模块包括具有研磨垫的研磨台和保持基板的研磨头(顶环)。研磨头在进行基板的交接的交接位置和与研磨垫重叠的研磨位置之间搬送基板。在研磨位置,以规定压力将基板表面按压在研磨垫,一边供给研磨液(浆料),一边使研磨垫和基板相对运动,由此使基板与研磨垫滑动接触,将基板表面研磨成规定的膜厚。
2、清洗组件具备进行基板表面的粗清洗(一次清洗)及精清洗(二次清洗)的多个清洗组件,除去在研磨处理后残留在基板上的研磨液、研磨渣等研磨残渣物(颗粒)。在清洗模块设有用于清洗多个基板的多个清洗线(日本特开2010-50436号公报)。
3、如果研磨处理后的基板表面残留颗粒,则会影响半导体器件的成品率,因此优选在交给清洗模块之前除去颗粒。因此,还公开了一种研磨装置,在设置于研磨模块内的研磨台的侧方的清洗位置,一边旋转由顶环保持的基板,一边从设置于基板的下方的清洗喷嘴喷射清洗液,由此对研磨处理后的基板进行清洗处理(日本专利第6055648号)。
技术实现思路
1、在一边使基板旋转一边从设置在基板的下方的清洗喷嘴喷射清洗液来进行清洗处理的情况下,虽然含有颗粒的清洗液由于伴随着基板的旋转的离心力而从基板的外周排出到外部,但由于作用在喷射到基板的中央附近的清洗液的离心力比较小,所以难以排出到基板外部。另外,清洗液的一部分滞留在基板w的中央附近,其结果,颗粒有时会再次附着在基板,需要将含有颗粒的清洗液高效地排出到外部。
2、本发明的一方式是基板清洗装置,设置于研磨装置,对研磨后的基板的表面进行清洗,所述研磨装置具备:研磨台,该研磨台具有进行基板研磨的研磨面;以及顶环,该顶环一边利用保持环围绕所述基板的外周部一边利用膜保持所述基板并将该基板向所述研磨面按压,所述顶环在研磨位置与交接位置之间移动自如,所述研磨位置是在所述研磨台的上方进行所述基板研磨的位置,所述交接位置是在所述研磨台的侧方进行所述基板的交接的位置,所述基板清洗装置与所述研磨位置和所述交接位置之间的清洗位置对应地设置,所述基板清洗装置具备第一喷射单元和第二喷射单元,所述第一喷射单元朝向位于所述清洗位置的所述基板喷射清洗液,所述第二喷射单元朝向位于所述清洗位置的所述基板喷射清洗液,在位于所述清洗位置的所述顶环的旋转方向上,所述第二喷射单元配置在所述第一喷射单元的下游侧或上游侧,来自所述第二喷射单元的清洗液朝向所述基板的外周部对从所述第一喷射单元喷射的清洗液施力。构成所述第二喷射单元的喷射喷嘴朝向所述第一喷射单元倾斜。
技术特征:
1.一种基板清洗装置,设置于研磨装置,对研磨后的基板的表面进行清洗,所述研磨装置具备:研磨台,该研磨台具有进行基板研磨的研磨面;以及顶环,该顶环一边利用保持环围绕所述基板的外周部一边利用膜保持所述基板并将该基板向所述研磨面按压,其特征在于,
2.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
3.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
4.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
5.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
6.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
7.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
8.根据权利要求1所述的基板清洗装置,其特征在于,
9.一种基板研磨装置,其特征在于,具备:
10.根据权利要求9所述的基板研磨装置,其特征在于,
技术总结
一种基板清洗装置及基板研磨装置。基板清洗装置设置于研磨装置,对研磨后的基板的表面进行清洗,研磨装置具备:具有进行基板研磨的研磨面的研磨台;及顶环,该顶环一边利用保持环围绕所述基板的外周部一边利用膜保持基板并将该基板向研磨面按压,基板清洗装置与顶环的清洗位置对应地设置。基板清洗装置具备第一喷射单元和第二喷射单元,第一喷射单元朝向位于清洗位置的基板喷射清洗液,第二喷射单元朝向位于清洗位置的基板喷射清洗液,在位于清洗位置的顶环的旋转方向上,第二喷射单元配置在第一喷射单元的下游侧或上游侧,构成第二喷射单元的喷射喷嘴朝向第一喷射单元倾斜。第二喷射单元朝向基板的外周部对从第一喷射单元喷射的清洗液施力。
技术研发人员:马场枝里奈
受保护的技术使用者:株式会社荏原制作所
技术研发日:
技术公布日:2024/12/10
技术研发人员:马场枝里奈
技术所有人:株式会社荏原制作所
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