一种高压LDO的限流电路及其限流方法与流程

1.一种高压ldo的限流电路，其特征在于：包含金属电阻和运算放大器，金属电阻的一端与运算放大器的同向输入端连接并连接输入信号vin，金属电阻的另一端与运算放大器的反向输入端和功率管的源极连接并连接输入信号vin2，运算放大器的输出端作为限流电路的输出端与高压ldo的节点vc连接。

2.根据权利要求1所述的一种高压ldo的限流电路，其特征在于：所述金属电阻为正温度系数的金属电阻。

3.根据权利要求2所述的一种高压ldo的限流电路，其特征在于：所述金属电阻的阻值为100-200mohm。

4.根据权利要求1所述的一种高压ldo的限流电路，其特征在于：所述运算放大器包含基准电流源、第一低压nmos管、第二低压nmos管、第三低压nmos管、第一高压nmos管、第二高压nmos管、第一电阻、第二电阻、第一高压pmos管、第二高压pmos管、第一低压pmos管、第二低压pmos管、第一pnp三极管、第二pnp三极管、第三电阻、第四电阻、电容、第一齐纳二极管、第五电阻、第二齐纳二极管、第三低压pmos管、第四低压nmos管、第五低压nmos管、第六低压nmos管、第七低压nmos管和第三pnp三极管；

5.根据权利要求4所述的一种高压ldo的限流电路，其特征在于：所述第一低压nmos管、第二低压nmos管和第三低压nmos管的尺寸相同。

6.根据权利要求4所述的一种高压ldo的限流电路，其特征在于：所述第一高压pmos管和第二高压pmos管的尺寸相同，第一低压pmos管和第二低压pmos管的尺寸相同。

7.根据权利要求4所述的一种高压ldo的限流电路，其特征在于：所述第一pnp三极管和第二pnp三极管的单个尺寸相同，第一pnp三极管的m=1，第二pnp三极管的m=n，第三电阻和第四电阻的阻值相同。

8.根据权利要求4所述的一种高压ldo的限流电路，其特征在于：所述第五电阻、第三低压pmos管、第四低压nmos管、第五低压nmos管和第六低压nmos管组成一个施密特触发器。

9.一种基于权利要求1-8任一项所述的高压ldo的限流电路的限流方法，其特征在于包含以下步骤：