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电源转换装置的制作方法

2026-05-24 15:40:01 262次浏览
电源转换装置的制作方法

本技术涉及一种电源转换装置,尤其涉及一种具备高耐压能力的电源转换装置。


背景技术:

1、现行的电源转换装置可将交流电源转换为输出电源。一般来说,电源转换装置包括功率开关以及控制电路。电源转换装置利用功率开关的开关操作来执行电源转换装置的电源转换操作。在应用于高电压(如,大于600伏)需求的设计中。控制电路被集成(或被封装)在符合低耐压能力的晶粒(die)中。功率开关必须被集成在符合高耐压能力的晶粒中。基于上述的设计中,功率开关可由空乏(depletion)型氮化镓(gan)场效晶体管来实施。因此,电源转换装置可利用另一开关来控制功率开关的开关操作。这一开关则被集成在其他的晶粒中。因此,电源转换装置共包括三个不同制程的晶粒。

2、应注意的是,晶粒与晶粒之间需要以多个连接线来进行连接。因此,晶粒的数量越多,电源转换装置的体积越大。在具有低体积的设计需求下,电源转换装置并无法容纳三个晶粒。因此,在高电压的需求下,如何降低晶粒的数量或缩小电源转换装置的体积是本领域技术人员的研究重点之一。


技术实现思路

1、本实用新型提供一种具有高电压需求且具备小体积的电源转换装置。

2、本实用新型的电源转换装置包括功率开关电路以及控制电路。功率开关电路包括功率开关以及级联开关。功率开关由空乏(depletion)型氮化镓(gan)场效晶体管来实施。功率开关的第一端耦接于电源转换装置的高压端。级联开关的第一端耦接于功率开关的第二端。控制电路耦接于功率开关电路。控制电路以及级联开关被集成在第一晶粒中。功率开关被集成在第二晶粒中。第二晶粒的耐压能力高于第一晶粒的耐压能力。

3、在本实用新型的一实施例中,级联开关由增强型场效晶体管来实施。

4、在本实用新型的一实施例中,级联开关的第二端耦接于功率开关的控制端。级联开关的控制端耦接于控制电路。

5、在本实用新型的一实施例中,控制电路产生控制信号,并将控制信号提供至级联开关的控制端。

6、在本实用新型的一实施例中,级联开关反应于控制信号的工作周期来进行功率开关电路的开关操作。

7、在本实用新型的一实施例中,电源转换装置还包括安规电容器以及充放电控制电路。安规电容器耦接于功率开关的第一端。充放电控制电路包括放电电路。放电电路耦接于功率开关的第二端以及控制电路。放电电路对位于安规电容器的电压值进行放电操作。放电电路被集成在第一晶粒中。

8、在本实用新型的一实施例中,充放电控制电路还包括充电电路。充电电路耦接于功率开关的第二端以及控制电路。充电电路对位于安规电容器的电压值进行充电操作。充电电路被集成在第一晶粒中。

9、在本实用新型的一实施例中,功率开关的控制端耦接于控制电路。级联开关的控制端接收致能信号。

10、在本实用新型的一实施例中,控制电路产生控制信号以及致能信号,并将致能信号提供至级联开关的控制端。

11、在本实用新型的一实施例中,级联开关反应于致能信号被导通。功率开关反应于控制信号来进行功率开关电路的开关操作。

12、基于上述,电源转换装置包括功率开关电路以及控制电路。功率开关电路包括功率开关以及级联开关。控制电路以及级联开关被集成在第一晶粒中。功率开关被集成在第二晶粒中。第二晶粒的耐压能力高于第一晶粒的耐压能力。第二晶粒由符合高耐压能力的制程规则来产生。第一晶粒由符合低耐压能力的制程规则来产生。因此,本实用新型的充放电控制电路并不需被集成在额外的晶粒。电源转换装置中的晶粒的数量能够被降低。如此一来,在高电压的需求下,电源转换装置的体积能够被缩小。



技术特征:

1.一种电源转换装置,其特征在于,所述电源转换装置包括:

2.根据权利要求1所述的电源转换装置,其特征在于,所述级联开关由增强型场效晶体管来实施。

3.根据权利要求1所述的电源转换装置,其特征在于:

4.根据权利要求3所述的电源转换装置,其特征在于,所述控制电路产生控制信号,并将所述控制信号提供至所述级联开关的控制端。

5.根据权利要求4所述的电源转换装置,其特征在于,所述级联开关反应于所述控制信号的工作周期来进行所述功率开关电路的开关操作。

6.根据权利要求1所述的电源转换装置,其特征在于,还包括:

7.根据权利要求6所述的电源转换装置,其特征在于,所述充放电控制电路还包括:

8.根据权利要求1所述的电源转换装置,其特征在于:

9.根据权利要求8所述的电源转换装置,其特征在于,所述控制电路产生控制信号以及致能信号,并将所述致能信号提供至所述级联开关的控制端。

10.根据权利要求9所述的电源转换装置,其特征在于:


技术总结
本技术提供一种具有高电压需求且具备小体积的电源转换装置。电源转换装置包括功率开关电路以及控制电路。功率开关电路包括功率开关以及级联开关。功率开关由空乏(depletion)型氮化镓(GaN)场效晶体管来实施。功率开关的第一端耦接于电源转换装置的高压端。级联开关的第一端耦接于功率开关的第二端。控制电路耦接于功率开关电路。控制电路以及级联开关被集成在第一晶粒中。功率开关被集成在第二晶粒中。第二晶粒的耐压能力高于第一晶粒的耐压能力。

技术研发人员:刘嘉宪
受保护的技术使用者:力林科技股份有限公司
技术研发日:20240422
技术公布日:2024/12/19
文档序号 : 【 40406541 】

技术研发人员:刘嘉宪
技术所有人:力林科技股份有限公司

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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刘嘉宪力林科技股份有限公司
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