一种半导电高分子改性树脂膜及其制备方法和应用与流程

1.一种半导电高分子改性树脂膜，其特征在于：包括：高分子材料、改性导电金属物质、改性导电非金属物质和成膜添加剂；所述改性导电非金属物质为改性碳系列导电非金属物质；所述改性导电金属物质是金属表面被聚酯有机物包裹后的物质；

2.根据权利要求1所述的一种半导电高分子改性树脂膜，其特征在于：所述高分子材料为单碳键高分子材料；

3.根据权利要求2所述的一种半导电高分子改性树脂膜，其特征在于：所述单碳键高分子材料为-c-c-f键之pvf/pvdf/ptp单体材料、-c-c-f键之pvf/pvdf/ptp延伸高分子混合复合材料、-nh-coo单体的聚氨酯单体、-nh-coo单体的聚氨酯延伸产品、-ch2ch2o-重复单体的pet/pp、-ch2ch2o-重复单体的pet/pp的聚合物产品、丁腈橡胶改性聚氯乙烯、丁腈橡胶改性聚氯乙烯延伸材料中的任一种或多种组合；

4.根据权利要求3所述的一种半导电高分子改性树脂膜，其特征在于：所述紫外线吸收剂为二氧化钛；所述柔软剂为聚烯系列柔软剂；所述润滑剂为能与高分子材料相融的有机物润滑剂或能与高分子材料相融的无机物润滑剂；

5.一种半导电高分子改性树脂膜的制备方法，其特征在于：制备权利要求1至4中任一种半导电高分子改性树脂膜的制备方法的步骤为：

6.根据权利要求5所述的一种半导电高分子改性树脂膜的制备方法，其特征在于：所述改性导电金属物质的制备方法为：在密闭无氧环境下，将聚酯有机物材料和金属从常温开始逐渐以5℃/分钟的升温速率边升温边以200～300r/min的转速进行搅拌混合，直至温度上升至150℃时停止搅拌；然后自然冷却至温度为25～30℃时进行研磨，得到改性导电金属物质；

7.根据权利要求5或6所述的一种半导电高分子改性树脂膜的制备方法，其特征在于：高分子材料的含水率小于5%，改性导电金属物质的含水率小于1%，改性导电非金属物质的含水率小于1%。

8.一种覆膜金属基材板，其特征在于：包括：金属基材板和半导电高分子改性树脂膜；所述半导电高分子改性树脂膜为权利要求1至4中任一种半导电高分子改性树脂膜或采用权利要求5至7中任一种半导电高分子改性树脂膜的制备方法制备得到的半导电高分子改性树脂膜；

9.根据权利要求8所述的一种覆膜金属基材板，其特征在于：所述半导电高分子改性树脂膜的厚度为50～180微米；

10.一种光伏组件边框型材，其特征在于：采用权利要求8至9中任一种覆膜金属基材板，通过折边工艺或辊轧工艺或折边工艺和辊轧工艺结合将覆膜金属基材板一体加工成型，得到光伏组件边框型材。