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一种曲面抛光轨迹均匀覆盖方法、装置及可读存储介质

2025-03-01 15:00:02 474次浏览

技术特征:

1.一种曲面抛光轨迹均匀覆盖方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的曲面抛光轨迹均匀覆盖方法,其特征在于,步骤s10还包括:提取所述网格模型中各个三角形网格的顶点坐标,并计算各个三角形网格的面积和单位法向量。

3.根据权利要求2所述的曲面抛光轨迹均匀覆盖方法,其特征在于,轨迹点处的抛光接触圆半径的计算步骤包括:

4.根据权利要求3所述的曲面抛光轨迹均匀覆盖方法,其特征在于,目标顶点的平均单位法向量的计算公式为:

5.根据权利要求1所述的曲面抛光轨迹均匀覆盖方法,其特征在于,目标距离的计算公式为:

6.根据权利要求5所述的曲面抛光轨迹均匀覆盖方法,其特征在于,对轨迹点进行调整包括:

7.根据权利要求6所述的曲面抛光轨迹均匀覆盖方法,其特征在于,将与所述轨迹点的欧式距离最小的交点作为目标轨迹点后还包括:

8.根据权利要求6所述的曲面抛光轨迹均匀覆盖方法,其特征在于,在所述轨迹点和所述基准点之间的连线内部或延长线上选取一个目标点包括:

9.一种曲面抛光轨迹均匀覆盖装置,其特征在于,包括:

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-8任一项所述的曲面抛光轨迹均匀覆盖方法的步骤。


技术总结
本发明属于抛光轨迹规划技术领域,涉及一种曲面抛光轨迹均匀覆盖方法、装置及可读存储介质:将待加工曲面的I圈平面抛光轨迹映射至网格模型,得到I圈曲面轨迹;在第1圈曲面轨迹中选取基准点,对第1圈曲面轨迹中每个轨迹点进行调整,直到每个轨迹点与基准点之间的欧式距离等于目标距离,得到第1条抛光轨迹;初始化i=2;对于第i圈曲面轨迹中每个轨迹点,在第i‑1条抛光轨迹中选取相应基准点,并对各个轨迹点进行调整,直到第i圈曲面轨迹中每个轨迹点与其相应的基准点之间的欧式距离等于目标距离,得到第i条抛光轨迹;更新i=i+1,并对第i圈曲面轨迹中的轨迹点进行调整,直到i=I,得到目标抛光轨迹。

技术研发人员:张雷,龚林强,王冬扬,樊成,卢磊,梁福生
受保护的技术使用者:苏州大学
技术研发日:
技术公布日:2024/11/14
文档序号 : 【 39999532 】

技术研发人员:张雷,龚林强,王冬扬,樊成,卢磊,梁福生
技术所有人:苏州大学

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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张雷龚林强王冬扬樊成卢磊梁福生苏州大学
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