用于远距温度测量的光学传感器的制作方法

1.一种用于远距温度测量的传感器，包括：

2.如权利要求1所述的传感器，其中，该透射光学器件包括陷波滤波器，该陷波滤波器被配置为抑制该照射束的波长的光的透射。

3.如权利要求1所述的传感器，其中，该透射光学器件包括二向色镜、分束器和光纤中的至少一个。

4.如权利要求1所述的传感器，其中，该聚焦光学器件和该集光光学器件分别利用同一透镜将该照射束聚焦到该半导体样品上和收集来自该半导体样品的带隙pl光。

5.如权利要求1所述的传感器，其中，该光源包括近红外(nir)激光二极管或发光二极管(led)。

6.如权利要求5所述的传感器，其中，该照射束的波长为785nm。

7.如权利要求1所述的传感器，其中，该至少一个光检测器包括棱镜或光栅光谱仪。

8.如权利要求1所述的传感器，其中，该至少一个光检测器包括至少两个单像素检测器，这些单像素检测器中的每一个单像素检测器具有设置在该单像素检测器前方的光学带通滤波器，这些光学带通滤波器中的每一个光学带通滤波器被配置为透射邻近该半导体样品的半导体带隙波长的波长或波长范围。

9.如权利要求8所述的传感器，其中，这些单像素检测器是光电二极管。

10.如权利要求9所述的传感器，其中，这些光电二极管是硅(si)光电二极管、锗(ge)光电二极管或ingaas光电二极管。

11.如权利要求8所述的传感器，其中，该至少两个单像素检测器的光学带通滤波器的通带波长分别为1050nm和1125nm。

12.如权利要求1所述的传感器，其中，该半导体样品是设置在湿法加工槽内的半导体晶片，并且该聚焦光学器件和该集光光学器件分别被配置为通过该湿法加工槽的一个或多个壁并通过该湿法加工槽中存在的加工液体将该照射束引导到该半导体晶片上和收集来自该半导体晶片的带隙pl光。

13.如权利要求12所述的传感器，其中，该一个或多个壁是嵌套的并且包含石英。

14.如权利要求12所述的传感器，其中，该加工液体包含h3po4、h2o、h2o2和h2so4中的至少一个。

15.如权利要求1所述的传感器，进一步包括：

16.一种温度测量设备，包括：

17.如权利要求16所述的温度测量设备，其中，该基板被设置成基本上平行于该一个或多个半导体样品之一，并且这些传感器被配置为确定在该一个或多个半导体样品中的一个半导体样品的表面上的、在该表面上的与这些传感器对应的多个照射光点处的温度分布。

18.如权利要求16所述的温度测量设备，其中，该基板被设置成基本上垂直于该一个或多个半导体样品，并且这些传感器被配置为测量该一个或多个半导体样品中的至少一个半导体样品的边缘处或邻近该边缘的区域中的温度。

19.如权利要求16所述的温度测量设备，进一步包括：

20.如权利要求19所述的温度测量设备，其中，该温度控制系统包括与该基板接触或嵌入在该基板内的温度受控流体歧管。

21.如权利要求19所述的温度测量设备，其中，该温度控制系统包括与该基板接触的一个或多个热电(te)装置。

22.一种湿法半导体加工系统，包括：

23.一种用于远距温度测量的方法，包括：

24.如权利要求23所述的方法，其中，测量该带隙pl光的光谱强度包括测量该带隙pl光在邻近该半导体样品的半导体带隙波长的两个波长或两个波长范围的光谱强度。