硅单晶的制造方法和装置以及硅片的制造方法与流程

1.一种硅单晶的制造方法，其是从石英坩埚内的硅熔液提拉硅单晶的硅单晶的制造方法，其特征在于，以规定的时间间隔取得包含反映在前述硅熔液的熔液面上的前述石英坩埚的镜像的影像，根据在前述石英坩埚至少旋转一圈期间取得的多张影像所映现的前述石英坩埚的镜像的位置的时间变化来评价前述石英坩埚的变形或偏心。

2.根据权利要求1所述的硅单晶的制造方法，其中根据前述石英坩埚的镜像来检测前述石英坩埚的上端部的位置，根据前述上端部的位置的时间变化来算出前述上端部的变形量或偏心量。

3.根据权利要求2所述的硅单晶的制造方法，其中根据前述影像中的像素的纵向辉度的微分值来检测前述石英坩埚的上端部。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的硅单晶的制造方法，其中在包含拍摄前述影像的相机的光学轴的平面内设定前述上端部的位置的检测线，根据在前述检测线上的前述石英坩埚的镜像的位置的时间变化来算出前述石英坩埚的变化量。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的硅单晶的制造方法，其中基于在从开始熔解前述石英坩埚内的硅原料的原料熔解工序到开始使晶种与前述硅熔液接触的液体接触工序为止的期间取得的前述多张影像来算出前述石英坩埚的变化量。

6.一种硅单晶制造装置，其特征在于，具备：

7.根据权利要求6所述的硅单晶制造装置，其中前述影像处理部根据前述石英坩埚的镜像来检测前述石英坩埚的上端部的位置，根据前述上端部的位置的时间变化来算出前述上端部的变形量或偏心量。

8.根据权利要求7所述的硅单晶制造装置，其中前述影像处理部根据前述影像中的像素的纵向辉度的微分值来检测前述石英坩埚的上端部。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的硅单晶制造装置，其中前述影像处理部在包含拍摄前述影像的相机的光学轴的平面内设定前述上端部的位置的检测线，根据前述检测线上的前述石英坩埚的镜像的位置的时间变化来算出前述石英坩埚的变化量。

10.根据权利要求6至8中任一项所述的硅单晶制造装置，其中前述影像处理部基于在从开始熔解前述石英坩埚内的硅原料的原料熔解工序到开始使晶种与前述硅熔液接触的液体接触工序为止的期间取得的前述多张影像来算出前述石英坩埚的变化量。

11.一种硅片的制造方法，其特征在于，将根据权利要求1至3中任一项所述的硅单晶的制造方法制造的硅单晶进行加工来制造硅片。