阵列基板及显示装置的制作方法

本公开涉及显示，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术：

1、薄膜晶体管(thin film transistor,tft)作为一种驱动元件，广泛应用于中小尺寸有源液晶显示器。目前，tft技术主要采用低温多晶硅(low temperature poly-silicon，ltps)，具有电子迁移率高、反应速度快、高分辨率以及低耗电量等优点，但也容易产生漏电流。tft漏电流过大会导致显示器件发生串扰(crosstalk)现象，即漏电流过大导致该区域数据信号对其他行的像素电压产生影响，使其亮度发生变化，从而影响光学效果导致产品降级。

技术实现思路

1、本公开一些实施例提供了一种阵列基板及显示装置，能够有效地改善上述问题。

2、第一方面，本公开一些实施例提供了一种阵列基板，包括多个晶体管，所述阵列基板包括：衬底基板；遮光金属层，设置在所述衬底基板一侧；有源层，设置在所述遮光金属层的远离所述衬底基板一侧，所述有源层包括所述晶体管的沟道区以及源漏搭接区，所述源漏搭接区包括沿第一方向依次排布且彼此连接的第一区域和第二区域，所述沟道区以及所述第一区域在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光金属层在所述衬底基板上的正投影范围之内，所述第二区域在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光金属层在所述衬底基板上的正投影范围之外；栅金属层，设置在所述遮光金属层的远离所述衬底基板一侧，包括所述晶体管的栅极，所述栅极覆盖所述沟道区；绝缘层，设置在所述有源层的远离所述衬底基板一侧，所述绝缘层设置有搭接孔，所述搭接孔处露出所述源漏搭接区的部分区域；其中，所述第二区域在第二方向上的宽度与所述搭接孔的尺寸之间的比值大于1且小于1.57，所述第二方向与所述第一方向垂直。

3、在一些实施例中，所述第二区域在所述第二方向上的宽度与所述沟道区的宽度之间的比值为：1.13～1.44。

4、在一些实施例中，所述源漏搭接区为长条形，所述长条形的长边方向平行于所述第一方向；

5、所述搭接孔在所述衬底基板上的正投影位于所述源漏搭接区在所述衬底基板上的正投影范围之内。

6、在一些实施例中，所述源漏搭接区在所述衬底基板上的正投影为第一投影区域，所述搭接孔在所述衬底基板上的正投影为第二投影区域，所述第二投影区域包括第一子区域和第二子区域，所述第一子区域位于所述第一投影区域内，所述第二子区域位于所述第一投影区域之外。

7、在一些实施例中，所述第二区域在所述第一方向上的长度与所述搭接孔的尺寸之间的比值为：0.32～0.6。

8、在一些实施例中，所述搭接孔的尺寸为1.6μm～2μm，所述第二区域在所述第一方向上的长度为0.65μm～0.95μm。

9、在一些实施例中，阵列基板还包括：源漏金属层，设置在所述绝缘层的远离所述衬底基板一侧，包括所述晶体管的源极和漏极。所述搭接孔底部露出的区域包括第一搭接区和第二搭接区，所述第一搭接区为绝缘层区域，所述第二搭接区为所述源漏搭接区的第一表面的部分区域，所述第一表面为远离所述衬底基板一侧的表面，所述源漏金属层覆盖所述搭接孔，与所述第二搭接区接触而导通；或者，所述搭接孔的底部设置有台阶结构，所述台阶结构包括第一踏面、第二踏面以及连接所述第一踏面与所述第二踏面的梯面，所述第一踏面与所述衬底基板之间的距离小于所述第二踏面与所述衬底基板之间的距离，所述第二踏面和所述梯面由所述有源层的源漏搭接区形成，所述源漏金属层覆盖所述搭接孔，与所述第二踏面以及所述梯面接触而导通。

10、在一些实施例中，所述绝缘层包括依次层叠设置在所述衬底基板上的栅绝缘层以及层间绝缘层，所述阵列基板还包括：缓冲层，位于所述遮光金属层与所述有源层之间。沿垂直于所述衬底基板的方向，所述缓冲层的厚度与所述栅绝缘层的厚度之间的比值为：3.25～4.32。

11、在一些实施例中，所述有源层的材料包括多晶硅；所述阵列基板还包括：非晶硅层，层叠设置在所述遮光金属层与所述有源层之间，且与所述有源层的靠近所述衬底基板一侧的表面接触。所述非晶硅层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影基本重合，或者，所述非晶硅层整层设置在所述衬底基板上，或者，所述衬底基板包括像素开口区，所述非晶硅层在所述衬底基板上的正投影覆盖除所述像素开口区之外的剩余区域。

12、在一些实施例中，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述非晶硅层的厚度与所述有源层的厚度的比值为：0.54～0.67。

13、在一些实施例中，所述有源层包括：依次连接的第一延伸段、第二延伸段和第三延伸段，所述第一延伸段和所述第三延伸段的延伸方向平行于所述第一方向，所述第二延伸段的延伸方向平行于所述第二方向。所述沟道区包括彼此串联的第一沟道区和第二沟道区，所述源漏搭接区包括第一源漏搭接区和第二源漏搭接区，所述第一源漏搭接区和所述第一沟道区位于所述第一延伸段，所述第二源漏搭接区和所述第二沟道区位于所述第二延伸段，所述第一源漏搭接区与所述第一沟道区连接，所述第二源漏搭接区与所述第二沟道区连接。所述栅极的延伸方向平行于所述第二方向，且与所述第一延伸段和所述第三延伸段相交，分别覆盖所述第一沟道区和所述第二沟道区。

14、第二方面，本公开一些实施例提供了一种显示装置，包括上述第一方面提供的阵列基板。

15、在本公开一些实施例提供的阵列基板中，通过将有源层的第二区域(即源漏搭接区的未被遮光金属层遮挡的部分区域)在第二方向上的宽度与搭接孔的尺寸之间的比值设置在大于1且小于1.57，能够在保证晶体管的源、漏极与有源层的搭接可靠性的同时，尽量减小未被遮光金属层遮挡的源漏搭接区的面积，即减小有源层的受光照面积，从而有利于降低晶体管的光照漏电流，改善显示串扰现象。

16、上述说明仅是本公开实施例提供的技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开实施例的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开实施例的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开实施例的具体实施方式。

1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个晶体管，所述阵列基板包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二区域在所述第二方向上的宽度与所述沟道区的宽度之间的比值为：1.13～1.44。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏搭接区为长条形，所述长条形的长边方向平行于所述第一方向；

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏搭接区在所述衬底基板上的正投影为第一投影区域，所述搭接孔在所述衬底基板上的正投影为第二投影区域，所述第二投影区域包括第一子区域和第二子区域，所述第一子区域位于所述第一投影区域内，所述第二子区域位于所述第一投影区域之外。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二区域在所述第一方向上的长度与所述搭接孔的尺寸之间的比值为：0.32～0.6。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述搭接孔的尺寸为1.6μm～2μm，所述第二区域在所述第一方向上的长度为0.65μm～0.95μm。

7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：源漏金属层，设置在所述绝缘层的远离所述衬底基板一侧，包括所述晶体管的源极和漏极，

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括依次层叠设置在所述衬底基板上的栅绝缘层以及层间绝缘层，所述阵列基板还包括：缓冲层，位于所述遮光金属层与所述有源层之间；

9.根据权利要求1-8中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料包括多晶硅；所述阵列基板还包括：

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述非晶硅层的厚度与所述有源层的厚度的比值为：0.54～0.67。

11.根据权利要求1-8中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括：依次连接的第一延伸段、第二延伸段和第三延伸段，所述第一延伸段和所述第三延伸段的延伸方向平行于所述第一方向，所述第二延伸段的延伸方向平行于所述第二方向；

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-11中任一项所述的阵列基板。