半导体结构及其制备方法、存储器与流程

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道层的材料包括氧化物半导体材料；

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底具有第一凹槽，所述第一凹槽的开口朝向所述沟道层所在侧，所述第一凹槽沿平行于所述衬底的第一方向延伸；

4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述衬底的一侧，并覆盖部分第一导电层，所述第二电极位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧；

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在所述衬底的一侧，并覆盖部分所述第一电极，所述第二电极位于所述绝缘层远离所述衬底的一侧；

7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

8.一种存储器，其特征在于，包括：权利要求1至7中任一项所述的半导体结构。

9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，提供一衬底，并制作第一初始电极，包括：

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，制作第二初始电极，包括：

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在制作第一通孔之前，还包括：

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，制作沟道层，包括：

14.根据权利要求9至13中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在进行热处理之后，还包括：