半导体加工用保护片和半导体装置的制造方法与流程

1.一种半导体加工用保护片，具有基材、和依次设置在所述基材的一主面上的中间层与粘合剂层，

2.如权利要求1所述的半导体加工用保护片，所述中间层的厚度为30～600μm，所述粘合剂层的厚度为5～100μm，所述中间层与所述粘合剂层的厚度之比、即中间层/粘合剂层为1～50。

3.如权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，所述不具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(a1)的玻璃化转变温度(tg)为-80～0℃。

4.如权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，所述不具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(a1)为含有(甲基)丙烯酸烷基酯(a1-1)和具有羟基的(甲基)丙烯酸酯(a1-2)的单体群(m1)的共聚物，

5.如权利要求4所述的半导体加工用保护片，所述单体群(m1)还包含具有羧基的烯属不饱和化合物(a1-3)。

6.如权利要求4所述的半导体加工用保护片，所述单体群(m1)还包含(甲基)丙烯酰胺化合物。

7.如权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，所述具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(a2)的玻璃化转变温度(tg)为-80～0℃。

8.如权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，所述具有烯属不饱和基的(甲基)丙烯酸系树脂(a2)的烯属不饱和基当量为100～4000g/mol。

9.如权利要求1或2所述的半导体加工用保护片，所述交联剂(b2)为环氧交联剂。

10.一种具有凸块电极的半导体装置的制造方法，包含以下步骤：

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，在将所述凸块电极的以μm计的高度设为h、并且将所述中间层与所述粘合剂层的以μm计的合计厚度设为d时，d/h为0.40～110。

12.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，所述加热步骤的最高到达温度为100～230℃。