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TBC电池背面钝化层的制备方法、钝化层及TBC电池与流程

2025-11-29 10:00:07 460次浏览

技术特征:

1.一种tbc电池背面钝化层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种tbc电池背面钝化层的制备方法,其特征在于,所述s2在具体实施时,包括:

3.根据权利要求1或2中任一项所述的一种tbc电池背面钝化层的制备方法,其特征在于,所述s3在具体实施时,包括:

4.根据权利要求1或2所述的一种tbc电池背面钝化层的制备方法,其特征在于,所述s4在具体实施时,包括:

5.根据权利要求1或2所述的一种tbc电池背面钝化层的制备方法,其特征在于,所述s5在具体实施时,包括:

6.根据权利要求1或2所述的一种tbc电池背面钝化层的制备方法,其特征在于,所述s6在具体实施时,包括:

7.根据权利要求1或2所述的一种tbc电池背面钝化层的制备方法,其特征在于,所述s7在具体实施时,包括:

8.根据权利要求7所述的一种tbc电池背面钝化层的制备方法,其特征在于,所述s8在具体实施时,包括:

9.一种tbc电池背面的钝化层,采用权利要求1-8所述的一种tbc电池背面钝化层的制备方法制备得到,其特征在于,所述tbc电池背面的钝化层包括:

10.一种tbc电池,其特征在于,包括权利要求9所述的tbc电池背面的钝化层、氮化硅减反膜层(13)和多个金属电极(14),所述氮化硅减反膜层(13)形成在所述氧化铝薄膜层(12)的外周,多个所述金属电极(14)分别形成在多个第一区域的第一氧化硅层(4)的背面和多个第二区域的第二氧化硅层(9)的背面。


技术总结
本发明涉及TBC电池背面钝化层的制备方法、钝化层及TBC电池,属于光伏电池制备技术领域。包括:在N型硅片背面的第一区域形成第一隧穿氧化层、掺硼多晶硅层、第一氧化硅层、第一本征多晶硅膜层和第一mask掩膜层;在第二区域形成第二隧穿氧化层、掺磷多晶硅层、第二氧化硅层、第二本征多晶硅膜层和第二mask掩膜层;使用酸溶液和碱溶液去除第一mask掩膜层、第二mask掩膜层、第一本征多晶硅膜层和第二本征多晶硅膜层。通过增加第一氧化硅层、第一本征多晶硅膜层、第二氧化硅层和第二本征多晶硅膜层,能够在去除第一mask掩膜层、第二mask掩膜层时,保护掺硼多晶硅层和掺磷多晶硅层,提高TBC电池的光电转换效率。

技术研发人员:聂文君,秦积海,李浩,杨立友
受保护的技术使用者:晋能清洁能源科技股份公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/26
文档序号 : 【 40126100 】

技术研发人员:聂文君,秦积海,李浩,杨立友
技术所有人:晋能清洁能源科技股份公司

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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聂文君秦积海李浩杨立友晋能清洁能源科技股份公司
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