光检测装置及电子装置的制作方法
技术特征：
1.一种光检测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，至少一个像素还包括：
3.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，
4.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，
5.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，
6.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，
7.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，
8.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，
9.根据权利要求8所述的光检测装置，其中，所述两个或更多个层中的每一个包括：
10.根据权利要求6所述的光检测装置，其中，
11.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，
12.根据权利要求11所述的光检测装置，其中，
13.根据权利要求11所述的光检测装置，其中，
14.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，
15.根据权利要求14所述的光检测装置，其中，
16.根据权利要求5所述的光检测装置，其中，
17.一种电子装置，包括：
18.一种光检测装置，包括：
19.根据权利要求18所述的光检测装置，其中，
20.根据权利要求18所述的光检测装置，其中，
技术总结
一种光检测装置包括具有多个像素的像素阵列。多个像素中的至少一个包括被配置为执行光电转换的光电转换区域、包括将光引导至光电转换区域的第一纳米结构的光导区域、以及布置在光导区域与光电转换区域之间并且使离开光导区域的光在折射方向上折射的折射结构。
技术研发人员：横地界斗,小笠原隆行,高桥圣基,宫田晃次,高濑博章
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18
文档序号 :
【 40050125 】
技术研发人员：横地界斗,小笠原隆行,高桥圣基,宫田晃次,高濑博章
技术所有人：索尼半导体解决方案公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
技术研发人员：横地界斗,小笠原隆行,高桥圣基,宫田晃次,高濑博章
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