一种具有高功率和高温可靠性的SiCVDMOSFET结构的制作方法
技术特征：
1.一种具有高功率和高温可靠性的sic vdmosfet结构，包括漏极(1)，其特征在于：所述漏极(1)的上方设置有n+衬底(2)，所述n+衬底(2)的上方设置有n－漂移区(3)，所述n－漂移区(3)上设置有两个p阱区(11)，两个所述p阱区(11)内部均设置有n+有源区(7)，两个所述n+有源区(7)与两个p阱区(11)的内侧边界存有间隙，两个所述p阱区(11)朝外的侧面表面均设置有第一p+接触区(6)，所述第一p+接触区(6)与n+有源区(7)之间设置有p－接触区(5)，所述p-接触区(5)背向第一p+接触区(6)的侧面上设置有第二p+接触区(4)，所述n－漂移区(3)的上端设置有栅氧层(13)、栅极(8)、sio2钝化层(9)和源极(10)，所述栅极(8)位于栅氧层(13)的上方，所述sio2钝化层(9)位于栅氧层(13)和栅极(8)的上方，所述p阱区(11)上设置有三组沟槽缓冲区(12)，三组所述沟槽缓冲区(12)之间相连通，所述n－漂移区(3)内设置有可变电阻v(14)。
2.根据权利要求1所述的一种具有高功率和高温可靠性的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述栅极(8)与两个p阱区(11)、n－漂移区(3)和n+有源区(7)的表面接触。
3.根据权利要求1所述的一种具有高功率和高温可靠性的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述源极(10)位于第一p+接触区(6)、p－接触区(5)、第二p+接触区(4)、n+有源区(7)和sio2钝化层(9)的上方。
4.根据权利要求1所述的一种具有高功率和高温可靠性的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述第一p+接触区(6)和第二p+接触区(4)与p-接触区(5)之间并联。
5.根据权利要求1所述的一种具有高功率和高温可靠性的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述p阱区(11)的表面掺杂浓度为2.5×1017cm-3；
6.根据权利要求1所述的一种具有高功率和高温可靠性的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述第一p+接触区(6)和第二p+接触区(4)的掺杂浓度均为5×1018cm-3；
7.根据权利要求1所述的一种具有高功率和高温可靠性的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述第一p+接触区(6)由n－漂移区(3)的表面延伸至p阱区(4)的底部边界处，且第一p+接触区(6)与n+有源区(7)朝外的侧边相连接；
8.根据权利要求1所述的一种具有高功率和高温可靠性的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述沟槽缓冲区(12)的深度大于1.0μm，深宽比大于2:1，刻蚀角度不小于80度，相邻的两个沟槽缓冲区(12)的间距不大于6.0μm；
9.根据权利要求1所述的一种具有高功率和高温可靠性的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述n+衬底(2)、n－漂移区(3)和n+有源区(7)均为n型sic材料
10.根据权利要求1所述的一种具有高功率和高温可靠性的sic vdmosfet结构，其特征在于：所述源极(10)与n+有源区(7)、第一p+接触区(6)、p－接触区(5)和第二p+接触区(4)的界面均为欧姆接触；
技术总结
本发明公开了一种具有高功率和高温可靠性的SiC VDMOSFET结构，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有N+衬底，N+衬底的上方设置有N－漂移区，SiO2钝化层位于栅氧层和栅极的上方，P阱区上设置有三组沟槽缓冲区，三组沟槽缓冲区之间相连通，N－漂移区内设置有可变电阻V。本发明的一种具有高功率和高温可靠性的SiC VDMOSFET结构，使得器件被击穿之前避免发生栅氧击穿现象，从而提高了器件的工作稳定性与可靠性，且SiC VDMOSFET结构传输时能够跟随功率传输时产生的高温及时调整其电阻值，避免SiC VDMOSFET结构内部高温出现短路的情况。
技术研发人员：许一力,刘倩倩
受保护的技术使用者：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18
技术研发人员：许一力,刘倩倩
技术所有人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
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