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二吡啶并吩嗪类化合物、光电器件及其制备方法、应用与流程

2025-09-22 15:00:06 623次浏览

技术特征:

1.一种二吡啶并吩嗪类化合物,其特征在于,具有如下结构通式:

2.根据权利要求1所述的二吡啶并吩嗪类化合物,其特征在于,各l独立地为取代或未取代的c5~c10的含氮杂环基,或取代或未取代的c5~c10的含氮杂芳基;

3.根据权利要求2所述的二吡啶并吩嗪类化合物,其特征在于,所述二吡啶并吩嗪类化合物具有如下结构通式:

4.根据权利要求1~3任一项所述的二吡啶并吩嗪类化合物,其特征在于,各所述取代基独立地选自卤素、酰胺基、酯基、羧基及羰基中的一种;

5.根据权利要求4所述的二吡啶并吩嗪类化合物,其特征在于,选自如下结构式中的一种或几种:

6.一种二吡啶并吩嗪类化合物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述化合物c通过如下步骤制备:

8.如权利要求1~5任一项所述的二吡啶并吩嗪类化合物或通过权利要求6~7任一项所述的制备方法制备的二吡啶并吩嗪类化合物在制备半导体器件中的应用。

9.一种光电器件,其特征在于,包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的功能层,所述功能层的材料包括二吡啶并吩嗪类化合物,所述二吡啶并吩嗪类化合物具有如下结构通式:

10.根据权利要求9所述的光电器件,其特征在于,所述功能层包括电子传输层,所述光电器件还包括设置在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层和空穴传输层,所述光电转换层设置在所述电子传输层和所述空穴传输层之间。

11.一种光电器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

12.根据权利要求11所述的光电器件的制备方法,其特征在于,采用溶液法制备所述功能层,将功能材料溶解在溶剂中,使所述功能材料的浓度为1mg/ml~20mg/ml,所述功能材料包括所述二吡啶并吩嗪类化合物;


技术总结
本申请涉及一种二吡啶并吩嗪类化合物、光电器件及其制备方法、应用。上述二吡啶并吩嗪类化合物具有如下结构通式:各L独立地为取代或未取代的C<subgt;4</subgt;~C<subgt;20</subgt;的含氮杂环基,或取代或未取代的C<subgt;4</subgt;~C<subgt;20</subgt;的含氮杂芳基。上述二吡啶并吩嗪类化合物应用在电子传输层中,有利于提高电荷提取能力和载流子迁移率,进而提高器件的光电转换性能。

技术研发人员:樊慧柯,曾海鹏,李兆宁,杨玉雯,应昕彤
受保护的技术使用者:天合光能股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/28
文档序号 : 【 40164162 】

技术研发人员:樊慧柯,曾海鹏,李兆宁,杨玉雯,应昕彤
技术所有人:天合光能股份有限公司

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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樊慧柯曾海鹏李兆宁杨玉雯应昕彤天合光能股份有限公司
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