碳化硅MOSFET的电流均衡方法和装置与流程

1.一种碳化硅mosfet的电流均衡方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，依据预设属性信息和所述多个碳化硅mosfet的数量，确定目标属性信息包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，依据所述预设属性信息中的预期电感值、预期磁导率和预期磁芯材料，确定第二属性信息包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，依据真空磁导率、所述第二属性信息和所述预期电感值，确定所述目标全耦合差模电感的线圈绕组匝数信息包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，依据所述参数信息、所述磁芯相对磁导率、所述真空磁导率和所述预期电感值进行计算，得到所述线圈绕组匝数信息包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述目标全耦合差模电感连接至所述目标电路，以对处于并联状态下的多个碳化硅mosfet的电流进行均衡处理包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述目标全耦合差模电感连接至所述目标电路，以对处于并联状态下的多个碳化硅mosfet的电流进行均衡处理之后，所述方法还包括：

8.一种碳化硅mosfet的电流均衡装置，其特征在于，包括：

9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，在所述程序运行时控制所述存储介质在设备执行权利要求1至7中任意一项所述的碳化硅mosfet的电流均衡方法。

10.一种电子设备，其特征在于，包括一个或多个处理器和存储器，所述存储器用于存储一个或多个程序，其中，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述一个或多个处理器实现权利要求1至7中任意一项所述的碳化硅mosfet的电流均衡方法。