一种自偏置压电薄膜及其制备方法与应用与流程

1.一种自偏置压电薄膜，其特征在于，所述自偏置压电薄膜包括沿自偏置压电薄膜厚度方向设置的导电部、压电薄膜层与顶电极；

2.根据权利要求1所述的自偏置压电薄膜，其特征在于，所述顶电极的材质包括钛、铂、金、铬或铝中的任意一种或至少两种的组合。

3.根据权利要求1或2所述的自偏置压电薄膜，其特征在于，所述底电极的材质包括钛、铂、金、铬或铝中的任意一种或至少两种的组合。

4.根据权利要求1-3任一项所述的自偏置压电薄膜，其特征在于，所述压电薄膜层的材质包括锆钛酸铅。

5.根据权利要求1-4任一项所述的自偏置压电薄膜，其特征在于，所述氧化物层的材质为lani1+xo3时，采用镍酸镧靶材磁控溅射制备氧化物层；

6.根据权利要求5所述的自偏置压电薄膜，其特征在于，所述镍酸镧靶材的制备方法包括如下步骤：

7.一种如权利要求1-6任一项所述自偏置压电薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，底电极的磁控溅射方法包括直流磁控溅射；

9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述底电极的磁控溅射温度为25-100℃；

10.一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括权利要求1-6任一项所述的自偏置压电薄膜。