粘接膜和划片膜-芯片接合膜的制作方法

本发明涉及粘接膜和划片膜-芯片接合膜。

背景技术：

1、例如，现已提出了：在搭载了半导体元件的芯片载体和引线部的下部利用粘接剂配置金属基体、提高半导体装置用封装体的散热效果的方法(例如参照专利文献1)。可是，由于金属基体、半导体元件、芯片载体等的热膨胀系数各不相同，所以存在下述问题：因半导体元件反复发热，从而金属基体剥离、产生裂纹等。

2、另外，作为粘接膜，已知例如含有高热传导粒子或热传导性填料的粘接膜(例如参照专利文献2和3)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开平5-198701号公报

6、专利文献2：日本特开2009-235402号公报

7、专利文献3：日本特开2014-68020号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、例如，用于上述用途的粘接膜要求具有优异的粘接性和热固化后的热传导性。

3、可是，上述以往的粘接膜在粘接性与热固化后的热传导性的兼顾方面还不能说是充分了。

4、因此，本发明的目的是提供具有优异的粘接性和热固化后的热传导性的粘接膜。

5、用于解决课题的手段

6、本发明的具体方案如下所示。

7、[1]一种粘接膜，其含有：(a)丙烯酸类树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)α-氧化铝填料，其中，所述(d)α-氧化铝填料含有纯度为99.90质量％以上的多面体的α-氧化铝填料，所述(d)α-氧化铝填料的含量是相对于(a)丙烯酸类树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)α-氧化铝填料的总量100质量份为60～95质量份。

8、[2]根据[1]所述的粘接膜，其中，所述(d)α-氧化铝填料的平均粒径(d50)为所述粘接膜的厚度的1/2以下。

9、[3]根据[1]或[2]所述的粘接膜，其中，所述(d)α-氧化铝填料的含量是相对于(a)丙烯酸类树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)α-氧化铝填料的总量100质量份为60～90质量份。

10、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的粘接膜，其中，所述(a)丙烯酸类树脂是含有环氧基的丙烯酸类共聚物，重均分子量为100000以上，玻璃化转变温度为-50℃～30℃。

11、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的粘接膜，其厚度为50μm以下。

12、[6]一种划片膜-芯片接合膜，其具有划片膜和层叠在该划片膜上的芯片接合膜，其中，所述芯片接合膜是[1]～[5]中任一项所述的粘接膜。

13、发明效果

14、根据本发明，可以提供具有优异的粘接性和热固化后的热传导性的粘接膜和使用了该粘接膜的划片膜-芯片接合膜。

1.一种粘接膜，其含有：(a)丙烯酸类树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)α-氧化铝填料，其中，

2.根据权利要求1所述的粘接膜，其中，所述(d)α-氧化铝填料的平均粒径(d50)为所述粘接膜的厚度的1/2以下。

3.根据权利要求1或2所述的粘接膜，其中，所述(d)α-氧化铝填料的含量是相对于(a)丙烯酸类树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)α-氧化铝填料的总量100质量份为60～90质量份。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘接膜，其中，所述(a)丙烯酸类树脂是含有环氧基的丙烯酸类共聚物，重均分子量为100000以上，玻璃化转变温度为-50℃～30℃。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘接膜，其厚度为50μm以下。

6.一种划片膜-芯片接合膜，其具有划片膜和层叠在该划片膜上的芯片接合膜，其中，所述芯片接合膜是权利要求1～5中任一项所述的粘接膜。