一种用于SiCMOSFET的电学性能退化预测方法

1.一种用于sic mosfet的电学性能退化预测方法，针对目标sic mosfet器件接入电路的应用，对目标sic mosfet器件实现电学性能退化预测，其特征在于，包括如下步骤：步骤a.针对目标sic mosfet器件，构建零漏源电压vds下长沟道阈值电压vth0关于栅源电压vgs、温度ta、退化时长t的第一退化表征模型结构；

2.根据权利要求1所述一种用于sic mosfet的电学性能退化预测方法，其特征在于，所述步骤a包括如下：

3.根据权利要求1所述一种用于sic mosfet的电学性能退化预测方法，其特征在于，所述步骤a包括如下：

4.根据权利要求1所述一种用于sic mosfet的电学性能退化预测方法，其特征在于，所述步骤a包括如下：

5.根据权利要求1所述一种用于sic mosfet的电学性能退化预测方法，其特征在于，所述步骤b包括如下步骤b1至步骤b2；

6.根据权利要求5所述一种用于sic mosfet的电学性能退化预测方法，其特征在于：所述目标sic mosfet器件对应的输出特性与转移特性包括漏源电流ids随漏源电压vds变化而变化的数据、以及漏源电流ids随栅源电压vgs变化而变化的数据。