一种SRAM结构的制作方法

1.一种sram结构，其特征在于，包括：设于衬底表面上的sram位单元；

2.根据权利要求1所述的sram结构，其特征在于，所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的漏极、所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的源极相连，所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的漏极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的漏极和所述第六晶体管的源极相连，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极连接高电平，所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极连接低电平，所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极连接同一个字线，所述第五晶体管的漏极和所述第六晶体管的漏极分别连接两个不同的位线。

3.根据权利要求2所述的sram结构，其特征在于，所述第一互补场效应晶体管和所述第五晶体管并列设置，并位于所述字线在所述衬底表面上的投影的一侧，所述第二互补场效应晶体管和所述第六晶体管并列设置，并位于所述字线的投影的另一侧，且所述第一互补场效应晶体管与所述第二互补场效应晶体管之间，以及所述第五晶体管与所述第六晶体管之间以所述字线的投影为转轴和转动平面互为180度旋转对称设置。

4.根据权利要求3所述的sram结构，其特征在于，所述第五晶体管和所述第六晶体管位于所述第一互补场效应晶体管和所述第二互补场效应晶体管的内侧，且所述第五晶体管和所述第六晶体管在所述衬底表面上的高度低于所述第一互补场效应晶体管和所述第二互补场效应晶体管在所述衬底表面上的高度，从而在所述第一互补场效应晶体管和所述第二互补场效应晶体管之间的所述第五晶体管和所述第六晶体管上方形成走线空间，两个所述位线并列设置，并与所述字线相互正交，且两个所述位线设于所述走线空间中。

5.根据权利要求4所述的sram结构，其特征在于，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极，以及所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极朝向外侧设置，所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源极分别通过第一电源线连接高电平，所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极分别通过第二电源线连接低电平，所述第一电源线和所述第二电源线与所述位线平行。

6.根据权利要求4所述的sram结构，其特征在于，所述字线包括设于所述衬底中的埋字线，所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极通过第一互连线分别连接字线；所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的栅极、所述第三晶体管的漏极、所述第四晶体管的栅极和所述第五晶体管的源极通过第二互连线相连；所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的漏极、所述第三晶体管的栅极、所述第四晶体管的漏极和所述第六晶体管的源极通过第三互连线相连。

7.根据权利要求1所述的sram结构，其特征在于，所述第一晶体管垂直堆叠于所述第三晶体管之上，所述第二晶体管垂直堆叠于所述第四晶体管之上，或者，所述第三晶体管垂直堆叠于所述第一晶体管之上，所述第四晶体管垂直堆叠于所述第二晶体管之上；和/或，所述第一晶体管至所述第六晶体管的沟道结构包括堆叠纳米薄片结构、堆叠纳米线结构或鳍式结构。

8.根据权利要求4所述的sram结构，其特征在于，多个所述sram位单元组成sram位单元阵列；其中，任意一个所述sram位单元的所述第一互补场效应晶体管和所述第五晶体管，与相邻的另一个所述sram位单元的所述第六晶体管和所述第二互补场效应晶体管沿所述字线走向方向依次排列，各所述sram位单元的所述第一互补场效应晶体管沿所述位线走向方向依次排列，各所述sram位单元的所述第五晶体管沿所述位线走向方向依次排列，各所述sram位单元的所述第六晶体管沿所述位线走向方向依次排列，各所述sram位单元的所述第二互补场效应晶体管沿所述位线走向方向依次排列。

9.根据权利要求8所述的sram结构，其特征在于，以晶体管的沟道和栅极的位置为衡量标准，在所述位线走向方向上，任意两个相邻的所述sram位单元之间具有平移对称或中心对称关系，在所述字线走向方向上，任意一个所述sram位单元的所述第一互补场效应晶体管和所述第五晶体管，与相邻的另一个所述sram位单元的所述第六晶体管和所述第二互补场效应晶体管之间具有镜像关系。

10.根据权利要求8所述的sram结构，其特征在于，任意一个所述sram位单元的所述第五晶体管的漏极，与相邻的另一个所述sram位单元的所述第六晶体管的漏极通过同一个位线连接结构连接同一个所述位线，位于同一个所述字线两侧的两个所述位线连接结构连接不同的所述位线。