一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用与流程
技术特征：
1.一种低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，步骤s2中，腐蚀液为0.5～2wt.％硫酸、10～20wt.％氯化氢和2～6wt.％氯化铝的水溶液，腐蚀液的温度为48℃～52℃，加电腐蚀的电流密度为0.4～0.45a/cm2，电流频率为28～33hz，加电的时间为55～60s。
3.根据权利要求1所述低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，步骤s4中，腐蚀液为0.5～2wt.％硫酸、5～15wt.％氯化氢和6～9wt.％氯化铝的水溶液，腐蚀液的温度为42℃～48℃，加电腐蚀的电流密度为0.37～0.4a/cm2，电流频率为25～30hz，加电的时间为110～120s。
4.根据权利要求1所述低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，步骤s5中，中处理液和腐蚀液的温度为18～28℃，加电腐蚀的电流密度为0.19～0.25a/cm2，电流频率为18～24hz，且随着重复步骤次数的增多，温度、电流密度或电流频率的至少一种降低。
5.根据权利要求1所述低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，步骤s3中，所述中处理液为浓度为2～5wt.％的磷酸二氢盐水溶液，钝化的温度为80～95℃，钝化的时间为45～75s。
6.根据权利要求1所述低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，步骤s6中，硫酸溶液的浓度为15～25wt.％，浸泡的温度为55～65℃，浸泡的时间为50～90s；多羟基化合物溶液的浓度为1～3wt.％，浸泡的温度为55～65℃，浸泡的时间为50～90s。
7.根据权利要求1所述低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，步骤s6中，所述热处理的温度为450～500℃，时间为20～40s。
8.权利要求1～7任意一项所述低压腐蚀箔的制备方法制备得到的低压腐蚀箔。
9.根据权利要求8所述低压腐蚀箔，其特征在于，所述低压腐蚀箔64vf的比容为28～30μf/cm2，厚度为37～40μm，平均孔径为160～200nm，拉力为27～29n/cm。
10.一种车规电容，其特征在于，包括铝电解电容器，所述铝电解电容器包括权利要求8所述低压腐蚀箔。
技术总结
本发明公开了一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用，属于铝箔技术领域。低压腐蚀箔的制备方法，包括如下步骤：前处理、一段腐蚀、中处理、孔洞深入生长腐蚀、后处理，得到低压腐蚀电极箔。其中，一段腐蚀和孔洞深入生长腐蚀阶段的加电腐蚀的电流波形为方波与三角波的叠加波形，加电腐蚀的电流波形中方波的宽度为叠加波形周期的2％～8％，方波的振幅为叠加波形振幅的20％～35％，在一个周期内方波的数量为12～16个。本发明通过调整一段腐蚀和孔洞深入生长腐蚀阶段的腐蚀液组分的含量、电流波形、电流密度、加电时间等参数制备得到孔径大小适中、孔径分布均匀、高强度、高比容的低压腐蚀箔。
技术研发人员：刘俊英,杨海亮,冉亮
受保护的技术使用者：乳源县立东电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18
技术研发人员：刘俊英,杨海亮,冉亮
技术所有人：乳源县立东电子科技有限公司
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