一种MEMS压力传感器及片上零漂和温漂补偿方法

1.一种mems压力传感器片上补偿零漂和温漂的方法，其特征在于，包括：

2.一种具有片上零漂和温漂补偿的mems压力传感器，其特征在于，包括硅衬底层、硅器件层、惠斯通电桥、补偿电阻电路；

3.根据权利要求2所述的mems压力传感器，其特征在于，当所述补偿电阻为金属薄膜电阻时，在所述中介层的表面通过溅射合金，随后利用剥离工艺涂布光刻胶并曝光显影形成所述金属薄膜电阻。

4.根据权利要求2所述的mems压力传感器，其特征在于，当所述补偿电阻为掺杂多晶硅电阻时，通过对所述硅器件层的局部区域进行硼离子注入制作所述压敏电阻的同时，通过离子注入的方式实现局部区域的多晶硅掺杂，形成所述掺杂多晶硅电阻。

5.根据权利要求2-4任一所述的mems压力传感器，其特征在于，所述惠斯通电桥由四个[110]晶向的压敏电阻构成，各压敏电阻分别位于所述敏感薄膜四边的中心位置。