用于MMWAVE射频（RF）信号的具有低增益架构的放大器的制作方法
技术特征：
1.一种装置，所述装置包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述可配置的第一级旁路位于所述放大器的本地。
3.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括晶体管，所述晶体管耦合到所述第一级放大器的栅极并且被配置为向所述可配置的第一级旁路的共栅晶体管提供dc电流。
4.根据权利要求3所述的装置，所述装置还包括与所述晶体管并联的电容器。
5.根据权利要求3所述的装置，所述装置还包括：
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一增益模式具有比所述第二增益模式高的增益，并且其中所述第二增益模式具有比所述第三增益模式高的增益。
7.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括耦合到所述第一级放大器的匹配网络，其中所述匹配网络被配置为当所述可配置的第一级旁路被配置为绕过所述第一级放大器时提供匹配。
8.根据权利要求1所述的装置，所述装置还包括：
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述放大器被配置为放大毫米波(mmwave)射频(rf)信号。
10.根据权利要求9所述的装置，所述装置还包括：
11.根据权利要求10所述的装置，所述装置还包括移相器，所述移相器耦合到所述放大器并且被配置为调整所述放大的mmwave rf信号的信号相位。
12.一种无线通信方法，所述方法包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其中控制可配置的第一级旁路包括控制所述射频(rf)放大器内的位于所述第一级放大器本地的可配置的第一级旁路。
14.根据权利要求12所述的方法，其中基于所述射频(rf)放大器增益设置来配置射频(rf)放大器还包括执行以下操作：
15.根据权利要求14所述的方法，其中控制可配置的第一级旁路包括配置穿过第一旁路开关和与所述晶体管串联的电容器的旁路路径。
16.根据权利要求14所述的方法，其中基于所述射频(rf)放大器增益设置来配置射频(rf)放大器包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一增益模式具有比所述第二增益模式高的增益，并且其中所述第二增益模式具有比所述第三增益模式高的增益。
18.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：
19.根据权利要求12所述的方法，其中配置射频(rf)放大器包括：
20.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括在基于所述射频(rf)放大器增益设置来配置所述射频(rf)放大器之后，利用所述射频(rf)放大器放大毫米波(mmwave)射频(rf)信号，以生成放大的mmwave rf信号。
21.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：
22.根据权利要求21所述的方法，所述方法还包括：
23.一种装置，所述装置包括：
24.根据权利要求23所述的装置，其中所述rf放大器还包括晶体管，所述晶体管耦合到所述第一级放大器的栅极并且被配置为向所述可配置的第一级旁路的共栅晶体管提供dc电流。
25.根据权利要求24所述的装置，其中所述rf放大器还包括与所述晶体管并联的电容器。
26.根据权利要求24所述的装置，其中所述至少一个处理器被配置为执行包括以下项的进一步操作：
27.根据权利要求26所述的装置，其中所述第一增益模式具有比所述第二增益模式高的增益，并且其中所述第二增益模式具有比所述第三增益模式高的增益。
28.一种装置，所述装置包括：
29.根据权利要求28所述的装置，所述装置还包括：
30.根据权利要求29所述的装置，所述装置还包括：
技术总结
本公开提供了支持mmWave射频(RF)信号的低噪声放大的用于无线通信的系统、方法和设备。在第一方面，低噪声放大器包括：第一级放大器(410A,410B)；第二级放大器(420A,420B)；可配置的第一级旁路(412,414)，该可配置的第一级旁路耦合在该第一级放大器(410A,410B)的第一输入部与第一输出部之间；和可配置的第二级旁路(422)，该可配置的第二级旁路耦合在该第二级放大器(420A,420B)的第二输入部与第二输出部之间。
技术研发人员：A·M·A·梅德拉,俞欣旻,冯云飞
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18
技术研发人员：A·M·A·梅德拉,俞欣旻,冯云飞
技术所有人：高通股份有限公司
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