一种基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器及其制备方法和应用

1.一种基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述绝缘衬底为高平整透明玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底或抛光氧化硅/硅。

3.根据权利要求1所述的基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述下电极为稳定性高的金属金、铂、钨、掺氟二氧化锡或氧化铟锡；所述下电极的厚度为50-200nm；

4.根据权利要求1所述的基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述物理气相沉积方式为磁控溅射或脉冲激光；所述金属氧化物层为氧化钛、氧化钨、氧化铪、氧化钽、氧化锰、氧化钇、氧化铌或氧化钒；所述高熵氧化物层为铁、钴、镍、镉和锰五种金属以等原子比混合制得的五元金属氧化物；所述高熵氧化物层的沉积方法为射频磁控溅射法。

5.根据权利要求1所述的基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述金属氧化物层的厚度为10-100nm；所述高熵氧化物层的厚度为5-50nm。

6.根据权利要求1所述的基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述金属氧化物层的加热温度为30-300℃；工作气压为0.1-5pa；在沉积过程中同时通入氩气和氧气，氩气的通入流量为5-25sccm，氧气的通入流量为5-30sccm；薄膜的生长时间为3-30min；溅射功率为50-350w。

7.根据权利要求1所述的基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述高熵氧化物的加热温度为100-400℃；工作气压为1-10pa；在沉积过程中同时通入氩气和氧气，氩气的通入流量为2-20sccm，氧气的通入流量为10-60sccm；薄膜的生长时间为0.5-5min；溅射功率为20-200w。

8.一种基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器，其特征在于，采用权利要求1-7任意一项所述制备方法制得，从下到上依次包括：绝缘衬底、下导电电极、金属氧化物、高熵氧化物和上导电电极。

9.权利要求1-7任意一项所述制备方法制得的基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器在信息存储中的应用。

10.权利要求1-7任意一项所述制备方法制得的基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器在神经网络计算中的应用。