一种半导体器件的终端结构及其制备方法与流程

1.一种半导体器件的终端结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，每一所述凹陷部在所述介质层上的垂直投影位于一所述电荷区中；所述凹陷部与所述电荷区一一对应。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，所述电荷区中注入有带电荷的重离子；所述重离子包括原子序数大于第一预设值的原子。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，位于所述终端区的第一导电类型外延层包括多个子区；所述多个子区在所述主结区指向所述终端区的方向上依次排列；

6.根据权利要求5所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体器件的终端结构，其特征在于，还包括：

8.一种半导体器件的终端结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1～7任一所述的半导体器件的终端结构；包括：

9.根据权利要求8所述的半导体器件的终端结构的制备方法，其特征在于，位于所述终端区的第一导电类型外延层包括多个子区；所述多个子区在所述主结区指向所述终端区的方向上依次排列；其中，所述子区包括第一子区和第二子区；在所述第一导电类型外延层远离所述衬底一侧的表面形成第二导电类型的变掺杂区，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体器件的终端结构的制备方法，其特征在于，在所述变掺杂区远离所述衬底的一侧形成介质层包括：