红外成像仪的制作方法

本公开涉及光电探测，尤其涉及一种红外成像仪。

背景技术：

1、在光电探测技术领域，鉴于胶体量子点能够实现大面阵、大批量制备，有助于提高器件的制备产率和制备效率，以及降低材料加工成本等，现已广泛应用于光学探测、光伏发电等领域。

2、目前，胶体量子点通常应用于各类图像传感器中，如互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor，cmos）图像传感器、薄膜晶体管（thin-filmtransistor，tft）图像传感器等，以构成能够探测所需波段的仪器，如红外成像仪。但是，现有红外成像仪中，相邻的像素结构之间通常存在干扰电信号如横向电流的干扰，导致红外成像仪的噪声较大，继而其信噪比较差，降低了红外成像质量。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本公开提供了一种红外成像仪。

2、本公开提供了一种红外成像仪，包括：

3、基底；

4、量子点探测结构，设置于所述基底的一侧，且阵列排布；

5、防串扰隔离结构，与所述量子点探测结构设置于所述基底的同一侧，所述防串扰隔离结构设置在所述量子点探测结构的至少一侧；

6、所述量子点探测结构用于响应红外光信号生成电信号；所述电信号包括向所述基底传输的目标电信号，以及不同于所述目标电信号的传输方向的干扰电信号；所述防串扰隔离结构用于导出所述干扰电信号。

7、可选地，所述防串扰隔离结构连接相邻的两个所述量子点探测结构。

8、可选地，所述防串扰隔离结构包括：

9、第一电极，设置于所述基底的一侧；

10、第一红外感光层，设置于所述第一电极背离所述基底的一侧；

11、第二电极，设置于所述第一红外感光层背离所述第一电极的一侧。

12、可选地，所述量子点探测结构包括：

13、第三电极，设置于所述基底的一侧；

14、第二红外感光层，设置于所述第三电极背离所述基底的一侧；

15、第四电极，设置于所述第二红外感光层背离所述第三电极的一侧。

16、可选地，所述第四电极和所述第二电极一体成型于同层，所述第二红外感光层与所述第一红外感光层一体成型于同层。

17、可选地，所述第三电极和所述第四电极的制备材料不同，所述第一电极和所述第二电极的制备材料相同。

18、可选地，所述防串扰隔离结构的电导率大于所述量子点探测结构的电导率。

19、可选地，所述第一电极为网格状公共电极，且与所述第三电极间隔设置。

20、可选地，所述网格状公共电极包括：

21、电极线条，多个所述电极线条交叉形成阵列排布的格子；每个所述量子点探测结构设置于对应的一个格子内。

22、可选地，所述红外成像仪还包括：

23、tft器件，与所述量子点探测结构设置于所述基底的同一侧，且与所述量子点探测结构一一对应连接；

24、所述tft器件用于基于外加电压控制所述量子点探测结构导通或断开。

25、本公开实施例提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：

26、本公开实施例提供的红外成像仪包括：基底；量子点探测结构，设置于基底的一侧，且阵列排布；防串扰隔离结构，与量子点探测结构设置于基底的同一侧，防串扰隔离结构设置在量子点探测结构的至少一侧；量子点探测结构用于响应红外光信号生成电信号；电信号包括向基底传输的目标电信号，以及不同于目标电信号的传输方向的干扰电信号；防串扰隔离结构用于导出干扰电信号。如此，通过将防串扰隔离结构设置在量子点探测结构的至少一侧，能够导出量子点探测结构中的干扰电信号，避免其传输至相邻的量子点探测结构进行干扰，进而降低了红外成像仪的噪声，提升了信噪比，利于提升红外成像质量。

1.一种红外成像仪，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的红外成像仪，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的红外成像仪，其特征在于，所述防串扰隔离结构包括：

4.根据权利要求3所述的红外成像仪，其特征在于，所述量子点探测结构包括：

5.根据权利要求4所述的红外成像仪，其特征在于，所述第四电极和所述第二电极一体成型于同层，所述第二红外感光层与所述第一红外感光层一体成型于同层。

6.根据权利要求4所述的红外成像仪，其特征在于，所述第三电极和所述第四电极的制备材料不同，所述第一电极和所述第二电极的制备材料相同。

7.根据权利要求1所述的红外成像仪，其特征在于，

8.根据权利要求4所述的红外成像仪，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的红外成像仪，其特征在于，所述网格状公共电极包括：

10.根据权利要求1所述的红外成像仪，其特征在于，还包括：