一种硅基Ⅲ-Ⅴ族GaAs太阳能电池梯度缓冲层及其应用
技术特征：
1.一种硅基ⅲ-ⅴ族gaas太阳能电池梯度缓冲层，位于si衬底和ⅲ-ⅴ族gaas太阳能电池层之间，其特征在于，所述自si衬底至ⅲ-ⅴ族gaas太阳能电池层之间的梯度缓冲层以gaasp为材料，p浓度逐渐减小，且相邻缓冲层间的浓度差为12.5％。
2.根据权利要求1所述的梯度缓冲层，其特征在于，所述自si衬底至ⅲ-ⅴ族gaas太阳能电池层之间的梯度缓冲层依次为gaas0.125p0.875缓冲层、gaas0.25p0.75缓冲层、gaas0.375p0.625缓冲层、gaas0.5p0.5缓冲层、gaas0.625p0.375缓冲层、gaas0.75p0.25缓冲层和gaas0.875p0.125缓冲层。
3.根据权利要求1所述的梯度缓冲层，其特征在于，所述gaas1-xpx梯度缓冲层的厚度在50～100nm之间，由si衬底至gaas太阳能电池层逐渐增大，且缓冲层均为直接带隙。
4.如权利要求1-3任一项所述的硅基ⅲ-ⅴ族gaas太阳能电池梯度缓冲层的应用，其特征在于，所述梯度缓冲层在ⅲ-v/si型太阳能电池中的应用。
技术总结
本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种硅基Ⅲ‑Ⅴ族GaAs太阳能电池梯度缓冲层及其应用。本发明公开的硅基Ⅲ‑Ⅴ族GaAs太阳能电池梯度缓冲层位于Si衬底和Ⅲ‑Ⅴ族GaAs太阳能电池层之间，所述自Si衬底至Ⅲ‑Ⅴ族GaAs太阳能电池层之间的梯度缓冲层依次为GaAs<subgt;0.125</subgt;P<subgt;0.875</subgt;缓冲层、GaAs<subgt;0.25</subgt;P<subgt;0.75</subgt;缓冲层、GaAs<subgt;0.375</subgt;P<subgt;0.625</subgt;缓冲层、GaAs<subgt;0.5</subgt;P<subgt;0.5</subgt;缓冲层、GaAs<subgt;0.625</subgt;P<subgt;0.375</subgt;缓冲层、GaAs<subgt;0.75</subgt;P<subgt;0.25</subgt;缓冲层和GaAs<subgt;0.875</subgt;P<subgt;0.125</subgt;缓冲层。本发明可以有效缓解Si衬底和Ⅲ‑Ⅴ族砷化镓电池之间的晶格失配，使材料应力得以释放，减少材料间的缺陷、位错，有效提高电池的质量；同时利用GaAs<subgt;1‑x</subgt;P<subgt;x</subgt;梯度缓冲层整体内应力造成的应变，调控缓冲层的带隙，使其保持直接带隙，具有良好的光吸收能力，使太阳能电池的整体光电转换效率得到提高。
技术研发人员：庄玉,郝瑞亭,王谦,张鸿文
受保护的技术使用者：云南师范大学
技术研发日：
技术公布日：2024/11/26
文档序号 :
【 40124181 】
技术研发人员：庄玉,郝瑞亭,王谦,张鸿文
技术所有人：云南师范大学
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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