非晶InGaZnO/InAlSnO异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件及其制备方法

1.一种非晶ingazno/inalsno异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件，其特征在于，包括：衬底层、底栅电极层、顶栅电极层、底栅绝缘层、顶栅绝缘层、inalsno有源层、ingazno有源层、源电极层、漏电极层和钝化层；

2.根据权利要求1所述的非晶ingazno/inalsno异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件，其特征在于，所述衬底层材料为玻璃或者柔性材料。

3.根据权利要求1所述的非晶ingazno/inalsno异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件，其特征在于，所述底栅电极层和顶栅电极层为ito、钛、铝、镍、钼、铜和金中的一种或多种；所述底栅电极层和顶栅电极层厚度为50nm-500nm。

4.根据权利要求1所述的非晶ingazno/inalsno异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件，其特征在于，所述底栅绝缘层和顶栅绝缘层为氧化硅、氮化硅、氧化铪和氧化铝中的一种；所述底栅绝缘层和顶栅绝缘层厚度为50nm-500nm。

5.根据权利要求1所述的非晶ingazno/inalsno异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件，其特征在于，所述inalsno有源层厚度为2nm-15nm、所述ingazno有源层厚度为10nm-60nm；inalsno薄膜材料与非晶ingazno薄膜材料结合形成nn同型异质结构。

6.根据权利要求1所述的非晶ingazno/inalsno异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件，其特征在于，所述源电极层和漏电极层为ito、钛、铝、镍、钼、铜和金中的一种或多种；所述源电极层和漏电极层厚度为100nm-500nm。

7.根据权利要求1所述的非晶ingazno/inalsno异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件，其特征在于，所述钝化层材料为氧化硅、氮化硅、氧化铪和氧化铝中的一种；所述钝化层厚度为100nm-1000nm。

8.一种非晶ingazno/inalsno异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求8所述的非晶ingazno/inalsno异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件的制备方法中的步骤。

10.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求8所述的非晶ingazno/inalsno异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件的制备方法中的步骤。