一种晶圆的光阻硬化方法及制得的晶圆与流程

1.一种晶圆的光阻硬化方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆的光阻硬化方法，其特征在于，步骤(1)中，所述晶圆包括砷化镓晶圆；

3.根据权利要求1或2所述的晶圆的光阻硬化方法，其特征在于，步骤(1)中，所述第一光刻胶包括ar80；

4.根据权利要求1-3任一项所述的晶圆的光阻硬化方法，其特征在于，步骤(1)中，形成第一光刻胶层后，所得第一光刻胶层的cd尺寸量测线宽值为0.41～0.51μm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆的光阻硬化方法，其特征在于，步骤(2)中，所述水溶性第二光刻胶包括r200；

6.根据权利要求1-5任一项所述的晶圆的光阻硬化方法，其特征在于，步骤(2)中，涂覆水溶性第二光刻胶，水洗显影后，所述烘烤前，形成的第二光刻胶层的cd尺寸量测线宽值为0.27～0.37μm；

7.根据权利要求1-6任一项所述的晶圆的光阻硬化方法，其特征在于，步骤(3)中，所述sf6气体的流量为80～120sccm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的晶圆的光阻硬化方法，其特征在于，步骤(3)中，所述反应离子刻蚀的射频包括rf射频；

9.根据权利要求1-8任一项所述的晶圆的光阻硬化方法，其特征在于，步骤(3)中，所述光阻硬化后，晶圆的cd尺寸量测线宽值为0.2～0.3μm。

10.一种光阻硬化的晶圆，其特征在于，根据权利要求1-9任一项所述的光阻硬化方法得到。