高效深紫外发光结构制备方法

1.高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，在步骤s10中，通过高温磁控溅射法或者mocvd生长法在具有一定斜切角的衬底上制备所述aln层。

3.根据权利要求2所述的高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，所述aln层的厚度范围为100nm～600nm；和/或

4.根据权利要求1所述的高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，在步骤s10中，所述衬底为蓝宝石衬底或sic衬底。

5.根据权利要求4所述的高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，在步骤s10中，所述蓝宝石衬底或sic衬底生长aln层的表面具有斜切角为α的c面(0001)，其中，0.2°＜α≤1°，斜切的方向为c轴偏m轴或者c轴偏a轴。

6.根据权利要求1所述的高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，在步骤s20中，将第一晶片进行高温热退火时，将两片第一晶片的aln层的表面相贴合，退火温度为1600℃～1800℃，退火气氛为惰性气体或含氮气体，高温段的退火时间为0h～24h。

7.根据权利要求6所述的高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，在步骤s20中，所述惰性气体为氦气，或所述含氮气体为氮气。

8.根据权利要求1所述的高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，在步骤s30中，对退火晶片上的aln层进行图形化处理，以制备出具有六边形孔洞结构的图形化aln层。

9.根据权利要求8所述的高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，所述六边形孔洞结构的对边间距为500nm～1000nm，图形化周期为800nm～1500nm，六边形孔洞结构的深度大于100nm，六边形孔洞内侧的六个面分别对应于aln的六个a面或者六个m面。

10.根据权利要求8所述的高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，在步骤s40中，采用1150℃～1350℃在图形化aln层的上表面进行外延生长，制备具有宏台阶表面形貌的aln表面层。

11.根据权利要求1至10任一项所述的高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，所述algan结构层为n型algan和algan复合结构层。