一种半导体结构外延层的再生长方法与流程
技术特征：
1.一种半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，所述将刻蚀后的所述半导体结构放入所述自组装有机溶液中的步骤之前，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，所述将刻蚀后的所述半导体结构放入所述自组装有机溶液中的步骤中，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，所述在所述半导体结构表面形成自组装单层膜的步骤之后，还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，所述将形成有所述自组装单层膜的所述半导体结构放入生长设备，加热至第一温度去除所述自组装单层膜的步骤中，还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的半导体结构外延层的再生长方法，其特征在于，
技术总结
本发明涉及一种半导体结构外延层的再生长方法，包括：提供刻蚀后的半导体结构；配制自组装有机溶液；将刻蚀后的半导体结构放入自组装有机溶液中，自组装有机溶液在半导体结构表面形成自组装单层膜，自组装单层膜作为钝化膜；将形成有自组装单层膜的半导体结构放入生长设备，加热至第一温度去除自组装单层膜；第一温度为自组装单层膜的分解温度；加热至第二温度在半导体结构表面进行再生长形成外延层；第二温度为外延层的生长温度。本发明提供的半导体结构外延层的再生长方法可以保证半导体结构表面形成外延层之前不会产生氧化层，提高外延层和半导体结构之间的界面质量，提高外延层生长的质量与效率，进而提升最终形成器件的电学性能和光学性能。
技术研发人员：冷祥,李明欣,魏明
受保护的技术使用者：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18
文档序号 :
【 40049940 】
技术研发人员：冷祥,李明欣,魏明
技术所有人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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