一种垂直腔面发射激光器及其制备方法与流程

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述缺陷抑制层的in组分的范围为0.5%-0.7%，包括端点值。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述缺陷抑制层为algainp层或alinp层，所述缺陷抑制层的al组分大于20%。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述缺陷抑制层的厚度范围为5nm-200nm，包括端点值。

5.根据权利要求1-4任一项所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述缺陷抑制层中掺杂有表面活性剂，所述表面活性剂的材料为sb材料或者te材料。

6.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述缺陷抑制层的in组分的范围为0.5%-0.7%，包括端点值。

8.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述缺陷抑制层为algainp层或alinp层，所述缺陷抑制层的al组分大于20%。

9.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述缺陷抑制层的厚度范围为5nm-200nm，包括端点值。

10.根据权利要求6-9任一项所述的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，在形成所述缺陷抑制层时，向所述缺陷抑制层中掺杂表面活性剂，所述表面活性剂的材料为sb材料或者te材料。