包含鎓离子的过滤用润滑剂的制作方法

1.一种过滤用润滑剂，其包含鎓离子，所述过滤用润滑剂的25℃下的表面张力为60mn/m以上且75mn/m以下。

2.根据权利要求1所述的过滤用润滑剂，其中，

3.根据权利要求1或2所述的过滤用润滑剂，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的过滤用润滑剂，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的过滤用润滑剂，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的过滤用润滑剂，其中，

7.根据权利要求1～5中任一项所述的过滤用润滑剂，其中，

8.一种半导体晶片的蚀刻方法，其包括：使如权利要求1～7中任一项所述的过滤用润滑剂与半导体晶片接触的工序。

9.一种半导体元件的制造方法，其包括：对如权利要求1～7中任一项所述的过滤用润滑剂进行过滤的工序；以及将过滤后的过滤用润滑剂供于半导体晶片的蚀刻的工序。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其中，

11.一种使用过的半导体处理液的再生方法，其包括：向使用过的半导体处理液中添加如权利要求1～7中任一项所述的过滤用润滑剂的工序。

12.一种研磨用组合物，其包含选自由下述式(1)～式(6)所示的鎓离子构成的组中的任一种以上和次卤酸离子，

13.一种研磨用组合物，其包含如权利要求4～7中任一项所述的过滤用润滑剂。

14.一种半导体晶片的研磨方法，其是如下方法：向含有磨粒的研磨垫或不含有磨粒的研磨垫供给研磨用组合物，使半导体晶片的被研磨面与所述研磨垫接触，通过两者间的相对运动进行研磨，

15.一种金属回收剂，其包含与金属氧化物离子或金属氢氧化物离子配位的鎓离子。

16.根据权利要求15所述的金属回收剂，其中，

17.一种金属从使用过的半导体处理液中的回收方法，其包括：向使用过的半导体处理液中添加如权利要求15或16所述的金属回收剂的工序。