一种预稳压电路的制作方法

本发明涉及集成电路，特别是一种预稳压电路。

背景技术：

1、预稳压电路作为芯片中的供电单元，是集成电路中的基础模块。预稳压电路能够将外部高压输入转换为内部低压电源，随后再以内部低压电源为基础，构建各个低压模块。

2、通常地，预稳压电路是利用齐纳二极管d0与mos管q1的组合方式，具体参考图1，预稳压电路通过反向击穿齐纳二极管d0产生低压电源，得到一个齐纳二极管d0稳压后的电压减去mos管q1的栅极-源极压降的电压，其输出电压取决于齐纳二极管d0击穿后的稳压电压。上述预稳压电路静态功耗较高。

技术实现思路

1、本发明实施例要解决的技术问题在于，提供一种预稳压电路，以解决现有技术中预稳压电路静态功耗较高的问题。

2、本发明公开了一种预稳压电路，包括电压输入端、电压输出端、预稳压输出单元、驱动pmos管、结型场效应管、调节电阻和地端，所述电压输入端与所述驱动pmos管的栅极和源极连接，所述电压输出端与所述驱动pmos管的漏极和所述预稳压输出单元的一端连接，所述结型场效应管的栅极连接地端，所述结型场效应管的漏极连接所述驱动pmos管的栅极，所述结型场效应管的源极连接所述调节电阻的一端，所述调节电阻的另一端和所述预稳压输出单元的另一端均连接地端。

3、可选地，所述预稳压电路还包括第一nmos管、第二nmos管、第一pmos管和第二pmos管，所述第一nmos管的栅极连接自身的漏极、所述第二nmos管的栅极和所述预稳压输出单元的另一端，所述第一nmos管的源极和所述第二nmos管的源极均连接地端，所述第二nmos管的漏极连接所述第一pmos管的漏极，所述第一pmos管的栅极连接自身的漏极和所述第二pmos管的栅极，所述第一pmos管的源极和所述第二pmos管的源极均连接所述电压输入端，所述第二pmos管的漏极连接所述驱动pmos管的栅极。

4、可选地，所述预稳压电路还包括过压保护单元，所述过压保护单元分别与所述电压输出端和所述驱动pmos管的栅极连接。

5、可选地，所述过压保护单元包括齐纳二极管、第三nmos管和第四nmos管，所述齐纳二极管的负极连接所述电压输出端，正极连接所述第三nmos管的漏极、栅极以及所述第四nmos管的栅极，所述第四nmos管的漏极连接所述第一pmos管的漏极，所述第三nmos管的源极和第四nmos管的源极均连接地端。

6、可选地，所述预稳压输出单元包括第三pmos管、第四pmos管、第五nmos管和第六nmos管，所述第三pmos管的源极连接所述电压输出端，所述第三pmos管的栅极连接自身的漏极和所述第四pmos管的源极，所述第四pmos管的栅极连接自身的漏极和所述第五nmos管的漏极、栅极，所述第五nmos管的源极连接所述第六nmos管的漏极、栅极，所述第六nmos管的源极连接所述第一nmos管的漏极。

7、可选地，所述驱动pmos管为高压pmos管，所述第一nmos管、第二nmos管、第五nmos管和第六nmos管均为低压nmos管，所述第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管均为低压pmos管。

8、可选地，所述预稳压电路还包括补偿电路单元，所述补偿电路单元的一端连接所述电压输入端，另一端连接所述驱动pmos管的栅极。

9、可选地，所述补偿电路单元包括补偿电容和补偿电阻，所述补偿电容与所述补偿电阻串联连接，所述补偿电容的另一端连接所述电压输入端，所述补偿电阻的另一端连接驱动pmos管的栅极。

10、可选地，所述预稳压电路还包括高压nmos管，所述高压nmos管的栅极连接所述电压输出端，所述高压nmos管的源极连接所述第二nmos管的漏极，所述高压nmos管的漏极连接所述第一pmos管的漏极。

11、可选地，所述预稳压电路还包括滤波电容，所述滤波电容的一端连接所述电压输出端，另一端连接地端。

12、与现有技术相比，本发明实施例提供的预稳压电路的有益效果在于：通过设置电压输入端、电压输出端、预稳压输出单元、驱动pmos管、结型场效应管、调节电阻和地端，电压输入端与驱动pmos管的栅极和源极连接，电压输出端与驱动pmos管的漏极和预稳压输出单元的一端连接，结型场效应管的栅极连接地端，结型场效应管的漏极连接驱动pmos管的栅极，调节电阻的另一端和预稳压输出单元的另一端均连接地端，结型场效应管的源极连接调节电阻的一端，调节电阻的另一端和预稳压输出单元的另一端均连接地端，以结型场效应管与调节电阻串接的方式，通过结型场效应管的栅极电压和源极电压之间的差异来确定栅极到源极电压，从而实现静态电流的调节，实现降低整体电路的静态功耗。

1.一种预稳压电路，其特征在于，包括电压输入端、电压输出端、预稳压输出单元、驱动pmos管、结型场效应管、调节电阻和地端，所述电压输入端与所述驱动pmos管的栅极和源极连接，所述电压输出端与所述驱动pmos管的漏极和所述预稳压输出单元的一端连接，所述结型场效应管的栅极连接地端，所述结型场效应管的漏极连接所述驱动pmos管的栅极，所述结型场效应管的源极连接所述调节电阻的一端，所述调节电阻的另一端和所述预稳压输出单元的另一端均连接地端。

2.根据权利要求1所述的预稳压电路，其特征在于，所述预稳压电路还包括第一nmos管、第二nmos管、第一pmos管和第二pmos管，所述第一nmos管的栅极连接自身的漏极、所述第二nmos管的栅极和所述预稳压输出单元的另一端，所述第一nmos管的源极和所述第二nmos管的源极均连接地端，所述第二nmos管的漏极连接所述第一pmos管的漏极，所述第一pmos管的栅极连接自身的漏极和所述第二pmos管的栅极，所述第一pmos管的源极和所述第二pmos管的源极均连接所述电压输入端，所述第二pmos管的漏极连接所述驱动pmos管的栅极。

3.根据权利要求2所述的预稳压电路，其特征在于，所述预稳压电路还包括过压保护单元，所述过压保护单元分别与所述电压输出端和所述驱动pmos管的栅极连接。

4.根据权利要求3所述的预稳压电路，其特征在于，所述过压保护单元包括齐纳二极管、第三nmos管和第四nmos管，所述齐纳二极管的负极连接所述电压输出端，正极连接所述第三nmos管的漏极、栅极以及所述第四nmos管的栅极，所述第四nmos管的漏极连接所述第一pmos管的漏极，所述第三nmos管的源极和第四nmos管的源极均连接地端。

5.根据权利要求2所述的预稳压电路，其特征在于，所述预稳压输出单元包括第三pmos管、第四pmos管、第五nmos管和第六nmos管，所述第三pmos管的源极连接所述电压输出端，所述第三pmos管的栅极连接自身的漏极和所述第四pmos管的源极，所述第四pmos管的栅极连接自身的漏极和所述第五nmos管的漏极、栅极，所述第五nmos管的源极连接所述第六nmos管的漏极、栅极，所述第六nmos管的源极连接所述第一nmos管的漏极。

6.根据权利要求5所述的预稳压电路，其特征在于，所述驱动pmos管为高压pmos管，所述第一nmos管、第二nmos管、第五nmos管和第六nmos管均为低压nmos管，所述第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管和第四pmos管均为低压pmos管。

7.根据权利要求1所述的预稳压电路，其特征在于，所述预稳压电路还包括补偿电路单元，所述补偿电路单元的一端连接所述电压输入端，另一端连接所述驱动pmos管的栅极。

8.根据权利要求7所述的预稳压电路，其特征在于，所述补偿电路单元包括补偿电容和补偿电阻，所述补偿电容与所述补偿电阻串联连接，所述补偿电容的另一端连接所述电压输入端，所述补偿电阻的另一端连接驱动pmos管的栅极。

9.根据权利要求2所述的预稳压电路，其特征在于，所述预稳压电路还包括高压nmos管，所述高压nmos管的栅极连接所述电压输出端，所述高压nmos管的源极连接所述第二nmos管的漏极，所述高压nmos管的漏极连接所述第一pmos管的漏极。

10.根据权利要求1-9任一项所述的预稳压电路，其特征在于，所述预稳压电路还包括滤波电容，所述滤波电容的一端连接所述电压输出端，另一端连接地端。