一种高硬度镀膜方法与流程

1.一种高硬度镀膜方法，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高硬度镀膜方法，其特征在于：所述步骤(4)和所述步骤(6)中的氮气流量为120-125sccm，乙炔流量为30-40sccm。

3.根据权利要求1所述的一种高硬度镀膜方法，其特征在于：所述步骤(5)中的氮气流量为160-165sccm。

4.根据权利要求1所述的一种高硬度镀膜方法，其特征在于：所述步骤(2)中的离子源电压为1100-1300v。

5.根据权利要求1所述的一种高硬度镀膜方法，其特征在于：所述步骤(1)中的cr/si混合靶的混合比例为cr:si=9:1。

6.根据权利要求1所述的一种高硬度镀膜方法，其特征在于：所述的薄膜各层厚度为：cr膜100-110nm，第一crsicn膜60-70nm，crsin膜140-150nm，第二crsicn膜200-210nm。

7.根据权利要求5所述的一种高硬度镀膜方法，其特征在于：所述步骤(1)中的cr靶的纯度为99.5％及以上；所述的转架旋转速度为25-30r/min。

8.根据权利要求1所述的一种高硬度镀膜方法，其特征在于：所述步骤(2)、所述步骤(3)和所述步骤(5)的镀膜温度设置在100-180℃。

9.根据权利要求1所述的一种高硬度镀膜方法，其特征在于：所述磁控溅射镀膜设备包括镀膜室，镀膜室内设置有用于放置工件的转架，转架连接有公自转治具，转架连接有偏压电源，镀膜室内设置有靶材和四路气体流量控制系统。

10.根据权利要求9所述的一种高硬度镀膜方法，其特征在于：步骤(2)中的偏压电源设置为-800v，步骤(3)中的偏压电源设置为-80v，步骤(4)和步骤(6)中的偏压电源设置为-120v，步骤(5)中的偏压电源设置为-150v。