使用原子层沉积法的薄膜的区域选择性沉积方法以及选择性形成薄膜的基板
技术特征：
1.一种使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，满足下述条件(1)：
5.根据权利要求1所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，第二步骤包括：
7.根据权利要求1所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，在上述第二步骤中，
8.根据权利要求6所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，上述第三步骤包括：
11.根据权利要求10所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，
12.根据权利要求11所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，
13.根据权利要求11所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，
14.根据权利要求10所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，
15.根据权利要求10所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，
16.根据权利要求10所述的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法，其特征在于，在上述区域选择性原子层沉积法中，
17.一种选择性形成薄膜的基板，其特征在于，包括：
18.根据权利要求17所述的选择性形成薄膜的基板，其特征在于，满足下述条件(1)：
19.根据权利要求17所述的选择性形成薄膜的基板，其特征在于，
20.根据权利要求17所述的选择性形成薄膜的基板，其特征在于，
技术总结
本发明涉及一种使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法及选择性形成薄膜的基板，更具体而言，涉及通过使用有机硫醇小分子抑制剂来在包括如铜(Cu)等的金属的基板、包括二氧化硅(SiO<subgt;2</subgt;)的基板及包括如氮化钛(TiN)等的氮化物的基板的表面上形成具有不同厚度的薄膜的使用区域选择性原子层沉积法的薄膜的选择性沉积方法及选择性形成薄膜的基板。
技术研发人员：李汉宝蓝,苏默·乔哈
受保护的技术使用者：仁川大学校产学协力团
技术研发日：
技术公布日：2024/12/10
技术研发人员：李汉宝蓝,苏默·乔哈
技术所有人：仁川大学校产学协力团
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
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