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DC-DC升压电路和驱动电路板的制作方法

2026-01-07 12:00:07 401次浏览

技术特征:

1.一种dc-dc升压电路,包括功率mosfet和与所述功率mosfet的控制端电连接的控制模块;

2.根据权利要求1所述的dc-dc升压电路,其中,所述控制模块还被配置为,在向所述功率mosfet的控制端提供灌电流时,所述灌电流的最大值不小于0.5a。

3.根据权利要求1所述的dc-dc升压电路,其中,所述控制模块包括驱动芯片、稳压单元、倒相单元和驱动单元;

4.根据权利要求3所述的dc-dc升压电路,其中,所述驱动单元包括第三开关和第四开关;

5.根据权利要求3所述的dc-dc升压电路,其中,所述控制模块还包括emc抑制电阻,所述emc抑制电阻的一端与所述第一节点电连接,另一端与所述驱动单元的控制端电连接。

6.根据权利要求3所述的dc-dc升压电路,其中,所述第二开关为三极管或者mosfet。

7.根据权利要求1所述的dc-dc升压电路,其中,所述控制模块包括驱动芯片、稳压单元和驱动单元;

8.根据权利要求7所述的dc-dc升压电路,其中,所述驱动单元包括第三开关和第四开关;

9.根据权利要求7所述的dc-dc升压电路,其中,所述控制模块还包括emc抑制电阻,所述emc抑制电阻的一端用于加载所述初始控制信号,另一端与所述驱动单元的控制端电连接。

10.根据权利要求4或者8所述的dc-dc升压电路,其中,所述第三开关和所述第四开关,为三极管或者mosfet。

11.根据权利要求1所述的dc-dc升压电路,其中,所述控制模块包括驱动芯片和稳压单元;

12.根据权利要求1~11任意一项所述的dc-dc升压电路,其中,所述dc-dc升压电路还包括栅极电阻和二极管;

13.根据权利要求3~11任意一项所述的dc-dc升压电路,其中,所述稳压单元包括第一开关、稳压二极管、第一电阻和滤波子电路;

14.根据权利要求13任意一项所述的dc-dc升压电路,其中,

15.一种驱动电路板,包括权利要求1~14任意一项所述的dc-dc升压电路。


技术总结
本公开提供一种DC‑DC升压电路和驱动电路板,属于显示技术领域。该DC‑DC升压电路,包括功率MOSFET和与所述功率MOSFET的控制端电连接的控制模块;所述控制模块被配置为,提供能够控制所述功率MOSFET的导通和关断的控制信号;其中,所述控制信号中的高电平信号的电压值为所述功率MOSFET的栅源电压的最大额定值的0.5~0.8倍。该DC‑DC升压电路能够降低功率MOSFET的温度。

技术研发人员:王建亭,万争艳
受保护的技术使用者:北京京东方显示技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/12/5
文档序号 : 【 40238446 】

技术研发人员:王建亭,万争艳
技术所有人:北京京东方显示技术有限公司

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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王建亭万争艳北京京东方显示技术有限公司
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