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一种抛光垫及其设计方法与流程

2025-09-28 17:20:02 486次浏览
一种抛光垫及其设计方法与流程

本发明属于化学机械抛光,具体的,涉及一种抛光垫及其设计方法。


背景技术:

1、在超大规模集成电路制造中,化学机械抛光技术(chemical mechanicalpolishing,cmp)已成为最广泛使用的平坦化技术。目前,集成电路制造中所使用的抛光垫主要是高分子材料抛光垫,其主要成分是发泡体固化的聚氨酯以及无纺布材料,表面具有一定密度的微凸峰并且整体硬度均一。在对晶圆进行化学机械抛光之前,会采用减薄、化学蚀刻等各种技术,逐步去除晶圆表面的损坏层,在此过程中,每一步的加工误差会不断累积,导致晶圆各处的厚度不均匀。因此,在对晶圆进行化学机械抛光时,需要对晶圆表面各处的材料去除率(material removal rate,mrr)进行调整,以获得厚度均匀的晶圆。


技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明提供一种抛光垫及其设计方法,先将晶圆沿其径向分为多个区域,在一定的化学机械抛光工艺参数下,找到晶圆各个区域在抛光垫上的运动区域,根据该运动区域对抛光垫进行不同硬度区的划分,最后通过硬度与材料去除率的关系对抛光垫进行硬度设计。本发明通过对抛光垫进行分区硬度设计,能够在不改变抛光工艺参数的条件下,对晶圆表面各处的材料去除率进行调整,以获得厚度均匀的晶圆,解决了现有技术中无法准确调节晶圆各区域材料去除率的问题,扩大了工艺调整区间。

2、为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种抛光垫的设计方法,包括如下步骤:

3、s1:提供一待抛光的晶圆,根据所述晶圆径向上的厚度分布,得到所述晶圆表面各点的材料去除率在晶圆径向上的变化曲线;

4、s2:将所述晶圆沿其径向分为n个区域,由所述变化曲线得到各个相邻区域的边界,且所述边界与所述晶圆圆心之间的距离为ri,i=1、2……n-1;

5、s3:在各个所述边界上选取一点ki,i=1、2……n-1,在所述晶圆边缘选取一点kn,分别绘制出所述晶圆在抛光垫上进行抛光时,点ki在所述抛光垫上的运动区域zi,以及点kn在所述抛光垫上的运动区域zn;

6、s4:将所述抛光垫分为n个硬度不同的区域,其中,运动区域z1为第一硬度区,运动区域z2与z1相减得到第二硬度区……依次类推,运动区域zn与zn-1相减得到第n硬度区;

7、s5:分别对所述第一硬度区、所述第二硬度区……所述第n硬度区进行硬度设计,以获得具有硬度分区设计的所述抛光垫。

8、可选的,步骤s1中,所述晶圆圆心处的材料去除率为v0,所述晶圆表面其他点处的材料去除率为v,v=c×v0,其中,c为大于1的常数。

9、可选的,步骤s2中,找到所述变化曲线中材料去除率的最大值vm,所述变化曲线中材料去除率i(vm-v0)/n+v0所对应的晶圆径向距离即为第i个所述边界与所述晶圆圆心之间的距离ri,i=1、2……n-1。

10、可选的,步骤s4中,所述第一硬度区、所述第二硬度区……所述第n硬度区为同心分布的圆环形区域。

11、可选的,步骤s4中,所述第一硬度区包括一个圆环形区域,所述第二硬度区包括被所述第一硬度区分隔开的两个圆环形区域……所述第n硬度区包括包括被第n-1硬度区分隔开的两个圆环形区域。

12、可选的,自所述第一硬度区至所述第n硬度区,所述抛光垫的表面硬度逐渐增大。

13、本发明还提供一种抛光垫,所述抛光垫包括同心分布的第一硬度区、第二硬度区……第n硬度区,且自所述第一硬度区至所述第n硬度区,所述抛光垫的表面硬度逐渐增大,所述抛光垫由上述任一项所述的抛光垫的设计方法制成。

14、可选的,所述第一硬度区包括一个圆环形区域,所述第二硬度区包括被所述第一硬度区分隔开的两个圆环形区域……所述第n硬度区包括被第n-1硬度区分隔开的两个圆环形区域。

15、本发明提供的抛光垫及其设计方法,至少具有以下有益效果:

16、本发明通过对抛光垫进行分区硬度设计,能够在不改变抛光工艺参数的条件下,对晶圆表面各处的材料去除率进行调整,以获得厚度均匀的晶圆,解决了现有技术中无法准确调节晶圆各区域材料去除率的问题,扩大了工艺调整区间。



技术特征:

1.一种抛光垫的设计方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的抛光垫的设计方法,其特征在于,步骤s1中,所述晶圆圆心处的材料去除率为v0,所述晶圆表面其他点处的材料去除率为v,v=c×v0,其中,c为大于1的常数。

3.根据权利要求2所述的抛光垫的设计方法,其特征在于,步骤s2中,找到所述变化曲线中材料去除率的最大值vm,所述变化曲线中材料去除率i(vm-v0)/n+v0所对应的晶圆径向距离即为第i个所述边界与所述晶圆圆心之间的距离ri,i=1、2……n-1。

4.根据权利要求1所述的抛光垫的设计方法,其特征在于,步骤s4中,所述第一硬度区、所述第二硬度区……所述第n硬度区为同心分布的圆环形区域。

5.根据权利要求4所述的抛光垫的设计方法,其特征在于,步骤s4中,所述第一硬度区包括一个圆环形区域,所述第二硬度区包括被所述第一硬度区分隔开的两个圆环形区域……所述第n硬度区包括包括被第n-1硬度区分隔开的两个圆环形区域。

6.根据权利要求1所述的抛光垫的设计方法,其特征在于,自所述第一硬度区至所述第n硬度区,所述抛光垫的表面硬度逐渐增大。

7.一种抛光垫,其特征在于,所述抛光垫包括同心分布的第一硬度区、第二硬度区……第n硬度区,且自所述第一硬度区至所述第n硬度区,所述抛光垫的表面硬度逐渐增大,所述抛光垫由权利要求1~6中任一项所述的抛光垫的设计方法制成。

8.根据权利要求7所述的抛光垫,其特征在于,所述第一硬度区包括一个圆环形区域,所述第二硬度区包括被所述第一硬度区分隔开的两个圆环形区域……所述第n硬度区包括被第n-1硬度区分隔开的两个圆环形区域。


技术总结
本发明提供一种抛光垫及其设计方法,先将晶圆沿其径向分为多个区域,在一定的化学机械抛光工艺参数下,找到晶圆各个区域在抛光垫上的运动区域,根据该运动区域对抛光垫进行不同硬度区的划分,最后通过硬度与材料去除率的关系对抛光垫进行硬度设计。本发明通过对抛光垫进行分区硬度设计,能够在不改变抛光工艺参数的条件下,对晶圆表面各处的材料去除率进行调整,以获得厚度均匀的晶圆,解决了现有技术中无法准确调节晶圆各区域材料去除率的问题,扩大了工艺调整区间。

技术研发人员:关子钧,刘奕然,杜天波
受保护的技术使用者:上海集成电路材料研究院有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/28
文档序号 : 【 40163682 】

技术研发人员:关子钧,刘奕然,杜天波
技术所有人:上海集成电路材料研究院有限公司

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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关子钧刘奕然杜天波上海集成电路材料研究院有限公司
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