一种直流输入防反接保护电路的制作方法
技术特征:
1.一种直流输入防反接保护电路,其特征在于,所述直流输入防反接保护电路包括继电器k1、二极管vd1、电阻r1、输入电压检测控制电路、继电器控制电路及隔离电路,所述继电器控制电路的输入端分别连接所述输入电压检测控制电路及继电器k1的一端,所述继电器k1的一触点分别连接所述二极管vd1的阳极及输入电压检测控制电路的输入端,所述二极管vd1的阴极连接所述电阻r1的一端,所述电阻r1的另一端连接所述继电器k1的另一触点,所述继电器控制电路的输出端连接所述隔离电路的输入端。
2.根据权利要求1所述的直流输入防反接保护电路,其特征在于,当输入正负极性连接正常时,所述输入电压检测控制电路检测到输入供电连接正确,输出传递给继电器控制电路的信号为继电器k1吸合信号。
3.根据权利要求2所述的直流输入防反接保护电路,其特征在于,所述继电器控制电路输出受控于输入电压检测控制电路输出信号和后级给出的ctl_k1_sec信号控制,当后级给出的ctl_k1_sec信号为高电平,输入电压检测控制电路输出为吸合信号电平时,继电器控制电路输出为低电平,其它任何状态下继电器控制电路输出为高电平。
4.根据权利要求3所述的直流输入防反接保护电路,其特征在于,当继电器控制电路、二极管vd2的阳极和继电器k1控制线包的一端相连后为继电器控制电路的输出端,所述继电器控制电路输出端为低电平,继电器k1为吸合。
5.根据权利要求4所述的直流输入防反接保护电路,其特征在于,当继电器控制电路经控制光耦d1接收到后级给出的为高电平控制信号ctl_k1_sec时,继电器控制电路经延时输出低电平,此延时时间用于确保输入电压经过二级管vd1和电阻r1对输出端vin_1进行缓启动充电到输出端vin_1电压跟输入vin_p电压基本相等,所述继电器k1两触点零电压吸合,降低继电器k1吸合时瞬间电流。
6.根据权利要求1所述的直流输入防反接保护电路,其特征在于,当输入正负极性反接时,所述输入电压检测控制电路检测到输入供电连接反接,输出传递给继电器控制电路的信号为继电器k1断开信号,所述继电器控制电路输出为高电平,所述继电器k1维持断开,输入反接电压经过二级管vd1反向阻断。
7.根据权利要求1-6任一项所述的直流输入防反接保护电路,其特征在于,所述直流输入防反接保护电路还包括直流输入正vin_p、直流输入负vin_n及输出电压vin_1,所述直流输入正vin_p分别连接所述二极管vd1的阳极、继电器k1的一触点及输入电压检测控制电路的输入端,所述输出电压vin_1分别连接所述继电器k1的另一触点及电阻r1的另一端,所述直流输入负vin_n连接所述输入电压检测控制电路的输入端并且接地。
8.根据权利要求7所述的直流输入防反接保护电路,其特征在于,所述输入电压检测控制电路包括电阻r4、电阻r6、电阻r7、mos管vt2及稳压二极管vd3,所述电阻r4的一端分别连接所述二极管vd1的阳极、继电器k1的一触点及直流输入正vin_p,所述电阻r4的另一端经所述电阻r6连接所述电阻r7的一端,所述电阻r7的另一端分别连接所述mos管的栅极及稳压二极管vd3的阴极,所述mos管vt2的源极及稳压二极管vd3的阳极分别接地。
9.根据权利要求8所述的直流输入防反接保护电路,其特征在于,所述继电器控制电路包括三极管vt1、电阻r3、电容c1、电阻r2及电阻r5,三极管vt1的发射极连接所述mos管vt2的漏极,所述三极管vt1的集电极连接所述继电器k1的一端,所述三极管vt1的基极分别连接所述电阻r3的一端、电容c1的一端及电阻r2的一端,所述电阻r3的另一端及电容c1的另一端分别接地,所述电阻r5的一端连接电源vcc+12v。
10.根据权利要求9所述的直流输入防反接保护电路,其特征在于,所述隔离电路包控制光耦d1及电阻r8,所述控制光耦d1的第4脚连接所述电阻r5的另一端,所述控制光耦d1的第3脚连接所述电阻r2的另一端,所述控制光耦d1的第1脚经所述电阻r8连接ctl_k1_sec,所述控制光耦d1的第1脚接地。
技术总结
本发明适用于电力电子技术改进领域,提供了一种直流输入防反接保护电路,包括继电器K1、二极管VD1、电阻R1、输入电压检测控制电路、继电器控制电路及隔离电路,继电器控制电路的输入端分别连接输入电压检测控制电路及继电器K1的一端,继电器K1的一触点分别连接二极管VD1的阳极及输入电压检测控制电路的输入端,二极管VD1的阴极连接电阻R1的一端,电阻R1的另一端连接继电器K1的另一触点,继电器控制电路的输出端连接隔离电路的输入端。检测控制电路在输入连接正确和反接时都确保可靠性,采样电路消耗电流可小于0.1mA,故检测控制电路损耗很小或可忽略,防反接保护电路简单适用,可靠性高,成本也很低。
技术研发人员:郑大成,温志权,王明金,方国算,戴康
受保护的技术使用者:深圳市华瑞新能源技术有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/28
技术研发人员:郑大成,温志权,王明金,方国算,戴康
技术所有人:深圳市华瑞新能源技术有限公司
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