一种真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法
技术特征:
1.一种真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法,其特征在于:包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法,其特征在于,步骤(1)中所述氧化铟锡废靶原料中的氧化铟与铟的摩尔比为1:1~4。
3.如权利要求1所述的真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法,其特征在于,步骤(1)中所述真空条件的压强为5~20pa。
4.如权利要求1所述的真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法,其特征在于,步骤(1)中所述加热的温度为1050~1250k。
5.如权利要求1所述的真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法,其特征在于,步骤(1)中所述保温的时间为30~60min。
技术总结
本发明公开了一种真空法从氧化铟锡废靶中分离氧化铟和氧化锡的方法,涉及资源回收利用技术领域,包括:取氧化铟锡废靶原料,向所述氧化铟锡废靶原料中加入铟后,于真空条件下进行加热并保温;待保温结束后,铟的低价氧化物挥发进入挥发物中,获得氧化铟;氧化锡残留在冷凝物中,获得氧化锡。本发明依据氧化铟在铟熔体中加热下可生成易挥发的低价氧化物(In2O),生成的低价氧化物可挥发至冷凝区域冷凝,从而实现氧化铟和氧化锡的分离,实现了氧化铟锡废靶材料的资源回收利用。
技术研发人员:杨斌,李伟,邓勇,陈秀敏,杨佳,郁青春,王飞,田阳,杜巧圆
受保护的技术使用者:昆明理工大学
技术研发日:
技术公布日:2024/12/2
文档序号 :
【 40200517 】
技术研发人员:杨斌,李伟,邓勇,陈秀敏,杨佳,郁青春,王飞,田阳,杜巧圆
技术所有人:昆明理工大学
备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明 :此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
技术研发人员:杨斌,李伟,邓勇,陈秀敏,杨佳,郁青春,王飞,田阳,杜巧圆
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