一种晶体管的驱动电路的制作方法

本技术涉及电路设计，尤其涉及一种晶体管的驱动电路。

背景技术：

1、场效应晶体管是一种半导体器件，广泛应用于模拟电路与数字电路中，例如，在数字电路中，场效应晶体管可以作为开关，场效应晶体管的驱动电路用于驱动场效应晶体管导通。

2、目前，场效应晶体管的驱动电路包括一个驱动电阻加一个电容，通过调节驱动电阻的阻值，可以控制场效应晶体管的导通速度，然而，场效应晶体管的导通过程可以分为不同阶段，现有技术中的场效应晶体管驱动电路无法满足对不同阶段进行单独调整。

技术实现思路

1、本实用新型提供了一种晶体管的驱动电路，以解决现有技术中驱动电路无法满足对不同阶段进行单独调整的问题。

2、根据本实用新型的一方面，提供了一种晶体管的驱动电路，包括参考模块和至少一个调节模块；

3、所述参考模块连接驱动信号的负向输入端，所述参考模块连接所述晶体管的栅极和所述晶体管的源极，所述参考模块用于设定参考电压；

4、所述调节模块的输入端连接驱动信号的正向输入端，所述调节模块的输出端连接所述晶体管的栅极和所述参考模块，所述调节模块用于根据所述驱动信号和所述参考电压调节所述晶体管的开关特性。

5、可选的，所述调节模块包括驱动速度调节单元和分段控制单元，所述驱动速度调节单元的输入端连接所述调节模块的输入端，所述分段控制单元的输入端连接所述驱动速度调节单元的输出端，所述分段控制单元的输出端连接所述调节模块的输出端，所述分段控制单元用于确定所述晶体管的开关阶段，所述驱动速度调节单元用于调节所述开关阶段的开关特性；其中，所述开关阶段包括导通阶段、放大阶段、饱和阶段和降低阻抗阶段中的至少一个阶段。

6、可选的，所述参考模块包括第一电容，所述分段控制单元包括第二电容，所述第一电容的第一端连接所述晶体管的栅极和所述第二电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述晶体管的源极，所述第二电容的第二端连接所述驱动速度调节单元，所述第一电容与所述第二电容对所述驱动信号的分压满足所述晶体管的导通电压阈值。

7、可选的，所述驱动速度调节单元包括第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述驱动速度调节单元的输入端，所述第一电阻的第二端连接所述驱动速度调节单元的输出端。

8、可选的，所述参考模块包括第一电容，所述分段控制单元还包括第三电容，所述第一电容的第一端连接所述晶体管的栅极和所述第三电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述晶体管的源极，所述第三电容的第二端连接所述驱动速度调节单元，所述第一电容与所述第三电容对所述驱动信号的分压满足所述晶体管的线性电压阈值。

9、可选的，所述驱动速度调节单元还包括第二电阻，所述第二电阻与所述第三电容串联连接后，与第一电阻和第二电容串联的电路并联连接。

10、可选的，所述参考模块包括第一电容，所述分段控制单元还包括第四电容，所述第一电容的第一端连接所述晶体管的栅极和所述第四电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述晶体管的源极，所述第四电容的第二端连接所述驱动速度调节单元，所述第一电容与所述第四电容对所述驱动信号的分压满足所述晶体管的饱和电压阈值。

11、可选的，所述驱动速度调节单元还包括第三电阻，所述第三电阻与所述第四电容串联连接后，与第一电阻和第二电容串联的电路并联连接。

12、可选的，所述参考模块包括第一电容，所述分段控制单元还包括第五电容，所述第一电容的第一端连接所述晶体管的栅极和所述第五电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述晶体管的源极，所述第五电容的第二端连接所述驱动速度调节单元，所述第一电容与所述第五电容对所述驱动信号的分压满足所述晶体管的栅极电压阈值。

13、可选的，所述驱动速度调节单元还包括第四电阻，所述第四电阻与所述第五电容串联连接后，与第一电阻和第二电容串联的电路并联连接。

14、本实用新型实施例的技术方案，提供了一种晶体管的驱动电路，包括参考模块和至少一个调节模块；参考模块连接驱动信号的负向输入端，参考模块连接晶体管的栅极和晶体管的源极，参考模块用于设定参考电压；调节模块的输入端连接驱动信号的正向输入端，调节模块的输出端连接晶体管的栅极和参考模块，调节模块用于根据驱动信号和参考电压调节晶体管的开关特性。本实用新型提供的晶体管的驱动电路能够对晶体管驱动过程进行控制，通过调节模块调节晶体管栅极的电压，使得晶体管的栅极的电压满足晶体管不同驱动阶段的预设阈值，实现对晶体管驱动的分段调节，提高了对晶体管的控制精度，改善了晶体管的开关特性，解决了现有技术中驱动电路无法满足对不同阶段进行单独调整的问题。

15、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本实用新型的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本实用新型的范围。本实用新型的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

1.一种晶体管的驱动电路，其特征在于，包括参考模块和至少一个调节模块；

2.根据权利要求1所述的晶体管的驱动电路，其特征在于，所述调节模块包括驱动速度调节单元和分段控制单元，所述驱动速度调节单元的输入端连接所述调节模块的输入端，所述分段控制单元的输入端连接所述驱动速度调节单元的输出端，所述分段控制单元的输出端连接所述调节模块的输出端，所述分段控制单元用于确定所述晶体管的开关阶段，所述驱动速度调节单元用于调节所述开关阶段的开关特性；其中，所述开关阶段包括导通阶段、放大阶段、饱和阶段和降低阻抗阶段中的至少一个阶段。

3.根据权利要求2所述的晶体管的驱动电路,其特征在于，所述参考模块包括第一电容，所述分段控制单元包括第二电容，所述第一电容的第一端连接所述晶体管的栅极和所述第二电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述晶体管的源极，所述第二电容的第二端连接所述驱动速度调节单元，所述第一电容与所述第二电容对所述驱动信号的分压满足所述晶体管的导通电压阈值。

4.根据权利要求3所述的晶体管的驱动电路，其特征在于，所述驱动速度调节单元包括第一电阻，所述第一电阻的第一端连接所述驱动速度调节单元的输入端，所述第一电阻的第二端连接所述驱动速度调节单元的输出端。

5.根据权利要求2所述的晶体管的驱动电路,其特征在于，所述参考模块包括第一电容，所述分段控制单元还包括第三电容，所述第一电容的第一端连接所述晶体管的栅极和所述第三电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述晶体管的源极，所述第三电容的第二端连接所述驱动速度调节单元，所述第一电容与所述第三电容对所述驱动信号的分压满足所述晶体管的线性电压阈值。

6.根据权利要求5所述的晶体管的驱动电路，其特征在于，所述驱动速度调节单元还包括第二电阻，所述第二电阻与所述第三电容串联连接后，与第一电阻和第二电容串联的电路并联连接。

7.根据权利要求2所述的晶体管的驱动电路,其特征在于，所述参考模块包括第一电容，所述分段控制单元还包括第四电容，所述第一电容的第一端连接所述晶体管的栅极和所述第四电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述晶体管的源极，所述第四电容的第二端连接所述驱动速度调节单元，所述第一电容与所述第四电容对所述驱动信号的分压满足所述晶体管的饱和电压阈值。

8.根据权利要求7所述的晶体管的驱动电路，其特征在于，所述驱动速度调节单元还包括第三电阻，所述第三电阻与所述第四电容串联连接后，与第一电阻和第二电容串联的电路并联连接。

9.根据权利要求2所述的晶体管的驱动电路,其特征在于，所述参考模块包括第一电容，所述分段控制单元还包括第五电容，所述第一电容的第一端连接所述晶体管的栅极和所述第五电容的第一端，所述第一电容的第二端连接所述晶体管的源极，所述第五电容的第二端连接所述驱动速度调节单元，所述第一电容与所述第五电容对所述驱动信号的分压满足所述晶体管的栅极电压阈值。

10.根据权利要求9所述的晶体管的驱动电路，其特征在于，所述驱动速度调节单元还包括第四电阻，所述第四电阻与所述第五电容串联连接后，与第一电阻和第二电容串联的电路并联连接。