射频推挽功率放大器芯片及射频前端模组的制作方法

1.一种射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一电容、第二电容、第三电容；

2.如权利要求1所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述射频推挽功率放大器芯片被配置为支持高频段信号的放大，其中，所述高频段为5.1ghz频段-7.2ghz频段。

3.如权利要求1所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述射频推挽功率放大器芯片被配置为支持wifi 6所对应频段的信号进行放大，和/或，所述射频推挽功率放大器芯片被配置为支持wifi 6e所对应频段的信号进行放大。

4.如权利要求1所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述第一巴伦包括初级线圈和次级线圈，所述初级线圈包括相互连接的第一初级线圈段和第二初级线圈段，所述次级线圈包括相互连接的第一次级线圈段和第二次级线圈段。

5.如权利要求4所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述第一初级线圈段和所述第一次级线圈段耦合形成第一耦合线圈，所述第一耦合线圈位于所述射频推挽功率放大器芯片的第一金属层；

6.如权利要求4所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述初级线圈和所述次级线圈的匝数比为1：1。

7.如权利要求1所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述射频推挽功率放大器芯片还包括第四电容和第五电容，所述第四电容串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，所述第五电容串联在所述第二差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间。

8.如权利要求7所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述第四电容连接在所述第一电容的第一端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，所述第五电容连接在所述第二电容的第一端和所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间。

9.如权利要求1所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述射频推挽功率放大器芯片还包括第一匹配网络和第二匹配网络；

10.如权利要求1所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，还包括串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第二差分放大晶体管的输出端之间的第八电容。

11.如权利要求9所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述第一lc谐振电路和所述第二lc谐振电路被配置为谐振在二阶谐波频率点。

12.如权利要求9所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述第一差分放大晶体管为bjt管，包括基极、集电极和发射极，所述第一差分放大晶体管的基极接收输入的第一射频输入信号，所述第一差分放大晶体管的集电极通过所述第一匹配网络耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；

13.如权利要求1所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述第一巴伦的次级线圈的第一端输出放大的第一射频输出信号，所述第一巴伦的次级线圈的第二端输出放大的第二射频输出信号；或者，所述第一巴伦的次级线圈的第一端输出放大的射频输出信号，次级线圈的第二端接地。

14.一种射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一电容、第二电容；

15.一种射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一电容、第二电容、第四电容、第五电容；

16.如权利要求15所述射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，所述第四电容连接在所述第一电容的第一端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，所述第五电容连接在所述第二电容的第一端和所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间。

17.一种射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一匹配网络、第二匹配网络，所述第一匹配网络包括第一电感和第一lc谐振电路，所述第一电感串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，所述第一lc谐振电路的一端连接在所述第一差分放大晶体管的输出端与所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，另一端接地；

18.一种射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一匹配网络、第二匹配网络、第八电容，所述第一匹配网络包括第一电感和第一lc谐振电路，所述第一电感串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，所述第一lc谐振电路的一端连接在所述第一差分放大晶体管的输出端与所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，另一端接地；

19.一种射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一匹配网络、第二匹配网络、第九电容、第十电容，所述第一匹配网络包括第一电感和第一lc谐振电路，所述第一电感串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，所述第一lc谐振电路的一端连接在所述第一差分放大晶体管的输出端与所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，另一端接地；

20.一种射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第六电容和第七电容；

21.如权利要求20所述的射频推挽功率放大器芯片，其特征在于，还包括第一电容和第二电容；所述第一电容的第一端连接至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第二电容的第一端连接所述第一巴伦的初级线圈的第二端，所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端通过第七引线连接。

22.一种射频前端模组，其特征在于，包括基板、设置在所述基板上的馈电电源端以及设置在所述基板上的射频推挽功率放大器芯片；

23.如权利要求22所述的射频前端模组，其特征在于，还包括设置在所述射频推挽功率放大器芯片上的第一巴伦，所述推挽功率放大器芯片的第三焊盘通过第三引线键合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述推挽功率放大器芯片的第四焊盘通过第四引线键合至所述第一巴伦的初级线圈的第二端。

24.如权利要求23所述的射频前端模组，其特征在于，还包括设置在所述射频推挽功率放大器芯片上的第六电容和第七电容，所述第六电容的第一端连接至所述推挽功率放大器芯片的第三焊盘，所述第六电容的第二端被配置为通过第五引线键合至接地端，所述第七电容的第一端连接至所述推挽功率放大器芯片的第四焊盘，所述第七电容的第二端被配置为与通过第六引线键合至接地端；所述第三引线、所述第六电容和所述第五引线组成第一匹配网络，所述第四引线、所述第七电容和所述第六引线组成第二匹配网络。

25.如权利要求22所述的射频前端模组，其特征在于，还包括去耦电容，所述去耦电容的一端连接至所述馈电电源端，另一端接地。