射频推挽功率放大器芯片及射频前端模组的制作方法

本发明涉及射频，尤其涉及一种射频推挽功率放大器芯片及射频前端模组。

背景技术：

1、伴随着短距离、低功率无线数据传输技术的成熟，无线网络技术被越来越多地应用到新的领域。与有线通讯方式相比，无线通讯以其不需铺设明线，使用便捷等一系列优点，在现代通信领域占重要地位。目前，采用无线网络技术的功率放大器为了满足阻抗匹配的性能指标，往往会导致功率放大电路的带宽性能变差，因此，如何在实现功率放大器的阻抗匹配时，保证功率放大器的带宽性能成为目前亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种射频推挽功率放大器芯片及射频前端模组，解决功率放大器的带宽性能较差的问题。

2、一种射频推挽功率放大器芯片，包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一电容和第二电容；

3、所述第一差分放大晶体管的输出端耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第二差分放大晶体管的输出端耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第二端；

4、所述第一电容的第一端连接至所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，所述第一电容的第二端连接至所述推挽功率放大器芯片的第一焊盘；所述第二电容的第一端连接至所述第二差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间，所述第二电容的第二端连接至所述推挽功率放大器芯片的第二焊盘；所述第一焊盘通过引线键合至所述第二焊盘。

5、进一步地，所述射频推挽功率放大器芯片被配置为支持高频段信号的放大，其中，所述高频段为5.1ghz频段-7.2ghz频段。

6、进一步地，所述第一巴伦包括初级线圈和次级线圈，所述初级线圈包括相互连接的第一初级线圈段和第二初级线圈段，所述次级线圈包括相互连接的第一次级线圈段和第二次级线圈段。

7、进一步地，所述第一初级线圈段和所述第一次级线圈段耦合形成第一耦合线圈，所述第一耦合线圈位于所述射频推挽功率放大器芯片的第一金属层；

8、所述第二初级线圈段和所述第二次级线圈段耦合形成第二耦合线圈，所述第二耦合线圈位于所述射频推挽功率放大器芯片的第二金属层。

9、进一步地，所述初级线圈和所述次级线圈的匝数比为1：1。

10、进一步地，还包括第三电容，所述第三电容的一端耦合至所述第一初级线圈段和所述第二初级线圈段之间，另一端接地。

11、进一步地，所述射频推挽功率放大器芯片还包括第四电容和第五电容，所述第四电容串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，所述第五电容串联在所述第二差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间。

12、进一步地，还包括第一匹配网络和第二匹配网络；所述第一匹配网络包括第一电感和第一lc谐振电路，所述第一电感串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，所述第一lc谐振电路的一端连接在所述第一差分放大晶体管的输出端与所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间，另一端接地；

13、所述第二匹配网络包括第二电感和第二lc谐振电路，所述第二电感串联在所述第二差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间，所述第二lc谐振电路的一端连接在所述第二差分放大晶体管的输出端与所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间，另一端接地。

14、进一步地，还包括串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第二差分放大晶体管的输出端之间的第八电容。

15、进一步地，所述第一lc谐振电路和或所述第二lc谐振电路被配置为谐振在二阶谐波频率点。

16、进一步地，所述第一差分放大晶体管为bjt管，包括基极、集电极和发射极，所述第一差分放大晶体管的基极接收输入的第一射频输入信号，所述第一差分放大晶体管的集电极通过所述第一匹配网络耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；

17、所述第二差分放大晶体管为bjt管，包括基极、集电极和发射极，所述第二差分放大晶体管的基极接收输入的第二射频输入信号，所述第二差分放大晶体管的集电极通过所述第二匹配网络耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第二端，所述第二差分放大晶体管的发射极接地。

18、进一步地，所述第一巴伦的次级线圈的第一端输出放大的第一射频输出信号，次级线圈的第二端输出放大的第二射频输出信号；或者，所述第一巴伦的次级线圈的第一端输出放大的射频输出信号，次级线圈的第二端接地。

19、一种射频推挽功率放大器芯片，包括：第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第六电容和第七电容；所述第一差分放大晶体管的输出端连接至所述推挽功率放大器芯片的第三焊盘，所述第三焊盘通过引线键合至所述推挽功率放大器芯片的第四焊盘，所述第二差分放大晶体管输出端连接至所述推挽功率放大器芯片的第五焊盘，所述第五焊盘通过引线键合至所述第六焊盘；所述第四焊盘耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第六焊盘耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第二端；

20、所述第六电容的第一端连接至所述推挽功率放大器芯片的所述第三焊盘，所述第六电容的第二端被配置为与接地端相连，所述第七电容的第一端连接至所述推挽功率放大器芯片的第五焊盘，所述第七电容的第二端被配置为与接地端相连。

21、进一步地，还包括第一电容和第二电容；所述第一电容的第一端连接至所述射频推挽功率放大器芯片的第四焊盘，第二端连接至所述推挽功率放大器芯片的第一焊盘，所述第二电容的第一端连接至所述射频推挽功率放大器芯片的第六焊盘，第二端连接至所述推挽功率放大器芯片的第二焊盘，所述第一焊盘通过引线键合至所述第二焊盘。

22、一种射频前端模组，包括上述所述的射频推挽功率放大器芯片。

23、进一步地，还包括基板，设置在所述基板上的馈电电源端；所述射频推挽功率放大器芯片设置在所述基板上；所述的第一差分放大晶体管的输出端连接至所述推挽功率放大器芯片的第三焊盘，所述第三焊盘通过引线键合至所述馈电电源端；所述的第二差分放大晶体管的输出端连接至所述推挽功率放大器芯片的第四焊盘，所述第四焊盘通过引线键合至所述馈电电源端。

24、进一步地，还包括去耦电容，所述去耦电容的一端连接至所述馈电电源端，另一端接地。

25、本技术提供一种射频推挽功率放大器芯片，包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一电容和第二电容；所述第一差分放大晶体管的输出端耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第二差分放大晶体管的输出端耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第二端；所述第一电容的第一端连接至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第一电容的第二端连接至所述推挽功率放大器芯片的第一焊盘；所述第二电容的第一端连接至述第一巴伦的初级线圈的第二端，所述第二电容的第二端连接至所述推挽功率放大器芯片的第二焊盘；所述第一焊盘通过引线键合至所述第二焊盘。通过采用推挽架构的功率放大器，在推挽功率放大器芯片的第一巴伦的初级线圈的第一端接入第一电容，以及在第一巴伦的初级线圈的第二端接入第二电容，且通过采用引线键合的连接方式实现第一电容和第二电容的电连接。具体地，可通过将所述第一电容的第二端连接至所述推挽功率放大器芯片的第一焊盘，和将所述第二电容的第二端连接至所述推挽功率放大器芯片的第二焊盘，所述第一焊盘通过引线键合至所述第二焊盘。第一电容、第二电容和引线组成阻抗匹配电路，与第一巴伦共同参与射频推挽功率放大器芯片的阻抗匹配，从而使得射频推挽功率放大器芯片随频率变化，其阻抗变化量较小，谐波阻抗更收敛，从而实现在更宽频带范围内，谐波抑制性能更好。且由于本技术中的第一电容和第二电容之间是通过引线键合连接，因此，可通过调整引线的长度大小以改变其所等效的电感值，从而可实现在有限的芯片面积内更灵活地调整阻抗匹配电路，以解决因芯片的面积过小而无法设置可调电容或可调电感的问题，以保证射频推挽功率放大器芯片的带宽性能不受影响的同时，还能减小射频推挽功率放大器芯片的占用面积。

26、本技术提供一种射频推挽功率放大器芯片，包括：第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第六电容和第七电容；所述第一差分放大晶体管的输出端连接至所述推挽功率放大器芯片的第三焊盘，所述第三焊盘通过引线键合至所述推挽功率放大器芯片的第四焊盘，所述第二差分放大晶体管输出端连接至所述推挽功率放大器芯片的第五焊盘，所述第五焊盘通过引线键合至所述第六焊盘；所述第四焊盘耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第六焊盘耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第二端；所述第六电容的第一端连接至所述推挽功率放大器芯片的所述第三焊盘，所述第三焊盘通过引线键合至接地端，所述第七电容的第二端连接至所述推挽功率放大器芯片的第五焊盘，所述第五焊盘通过引线键合至接地端。本技术通过采用推挽架构的功率放大器，且在射频推挽功率放大器芯片中通过利用引线所等效的电感和第六电容组成第一lc谐振电路，以及利用引线所等效的电感和第七电容组成第二lc谐振电路，和通过利用引线所等效的电感和该第一lc谐振电路组成第一匹配网络，以及利用引线所等效的电感和该第二lc谐振电路组成第二匹配网络；第一匹配网络、第二匹配网络与第一巴伦共同参与射频推挽功率放大器芯片的阻抗转换，从而不但解决了在进行射频信号传输过程中，因引线所带来的传输损耗增大的问题；还能实现射频推挽功率放大器芯片的阻抗匹配，以解决射频推挽功率放大器芯片的带宽性能较差的问题。且还能通过调整引线的长度以调整其所等效的电感值，达到调整第一lc谐振电路和第二lc谐振电路的谐振频率点的目的，从而使得射频推挽功率放大器芯片随频率变化，其阻抗变化量较小，谐波阻抗更收敛，从而实现在更宽频带范围内，谐波抑制性能更好，进而使得射频推挽功率放大器芯片可支持更大的带宽。