一种用于系统级封装的低介质损耗角正切陶瓷材料及其制备方法与流程

1.一种用于系统级封装的低介质损耗角正切陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的用于系统级封装的低介质损耗角正切陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述堇青石粉体采用如下方法制备得到：

3.根据权利要求2所述的用于系统级封装的低介质损耗角正切陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述煅烧滑石采用如下方法制备得到：

4.根据权利要求2所述的用于系统级封装的低介质损耗角正切陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述堇青石前体干料的煅烧过程包括如下步骤：

5.根据权利要求1所述的用于系统级封装的低介质损耗角正切陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述cbs粉体采用如下方法制备得到：

6.根据权利要求5所述的用于系统级封装的低介质损耗角正切陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述碳酸钙、硼酸和二氧化硅的质量比为(3~3.2):(2.8~3):1；

7.根据权利要求5所述的用于系统级封装的低介质损耗角正切陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述cbs前体干料的煅烧过程包括如下步骤：

8.根据权利要求1所述的用于系统级封装的低介质损耗角正切陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述前体混合物中的氧化铝的质量分数为40~50wt%；

9.根据权利要求1所述的用于系统级封装的低介质损耗角正切陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述坯体加热至排胶温度的升温速率为110~130℃/h；

10.一种采用权利要求1至9任一项所述的制备方法制备得到的用于系统级封装的低介质损耗角正切陶瓷材料。