半导体芯片表面缺陷检测方法及系统

2026-05-26 12:00:01 201次浏览

技术特征：

1.一种半导体芯片表面缺陷检测方法，其特征在于：包括以下步骤，

2.根据权利要求1所述的半导体芯片表面缺陷检测方法，其特征在于：分析表面缺陷的类型与所述第一图像特征、所述第二图像特征和所述第三图像特征的相关性包括，

3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片表面缺陷检测方法，其特征在于：所述表面缺陷类型包括剥离缺陷、金属缺陷、位移缺陷和有机物粘附缺陷中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片表面缺陷检测方法，其特征在于：采集半导体芯片的红外图像时，加热测试环境至33℃~36℃，且确定测试环境温度后维持所述测试环境温度恒定。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片表面缺陷检测方法，其特征在于：采集半导体芯片的红外图像时，加热测试环境至35℃，且维持35℃恒定。

6.根据权利要求1或4或5所述的半导体芯片表面缺陷检测方法，其特征在于：所述采集半导体芯片的红外图像还包括，

7.根据权利要求6所述的半导体芯片表面缺陷检测方法，其特征在于：通过配置于测试环境内的温度传感器采集所述半导体芯片的表面温度t1；其中，所述温度传感器距离所述半导体芯片表面的垂直距离小于1mm。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片表面缺陷检测方法，其特征在于：所述基于神经网络模型学习所述增强红外图像数据集，获得所述半导体芯片的表面缺陷检测结果还包括，

9.一种半导体芯片表面缺陷检测系统，其特征在于：包括，

技术总结
本发明涉及一种半导体芯片缺陷检测技术领域，提供一种半导体芯片表面缺陷检测方法及系统，其特征在于：包括采集半导体芯片的红外图像，获得红外图像数据集；对所述红外图像进行图像增强，获得增强红外图像数据集；基于神经网络模型学习所述增强红外图像数据集，获得所述半导体芯片的表面缺陷检测结果。本发明所述的半导体芯片表面缺陷检测方法及系统，显著提高半导体芯片表面缺陷检测的准确性、准确率和可靠性。

技术研发人员：陈忆雯,魏宁,武文琦,姜阳
受保护的技术使用者：江南大学
技术研发日：
技术公布日：2024/11/28

文档序号 : 【 40163450 】

技术研发人员：陈忆雯,魏宁,武文琦,姜阳
技术所有人：江南大学

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陈忆雯丨魏宁丨武文琦丨姜阳丨江南大学