一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法与流程

1.一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述aln陶瓷基片的厚度为0.5-1mm。

3.根据权利要求1所述的一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述紫铜板的厚度为1-3mm。

4.根据权利要求1所述的一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述第一通孔及第二通孔的直径均为100-120μm。

5.根据权利要求1所述的一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述线切割处理为采用n2为切割气体，切割速度为6-8m/min，切割气压为1-1.5mpa，切割功率为2500-3000，切割频率为4500-5000hz。

6.根据权利要求1所述的一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述围坝基板的高度为700-1000μm。

7.根据权利要求1所述的一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述除油处理为：将所述aln陶瓷基板和围坝基板在浓度为5-8％的h2so4溶液中超声处理5-10min后水洗；所述微蚀处理为：将所述aln陶瓷基板和围坝基板在微蚀液中超声处理5-10min后水洗，所述微蚀液为固液比为8:3-5的na2s2o8和98％浓硫酸的混合液；所述酸浸处理为：将所述aln陶瓷基板和围坝基板在浓度为5-8％的h2so4溶液中超声处理5-10min后水洗。

8.根据权利要求1所述的一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述电镀键合工艺为：在所述aln陶瓷基板下表面和围坝基板上表面贴干膜，露出待电镀区域，然后将所述aln陶瓷基板和围坝基板对准夹紧固定后放入电镀槽中，通电进行电镀，电镀结束后取出，去除干膜。

9.根据权利要求1所述的一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，所述镀液包括以下重量份的原料：100-120份cuso4、50-60份h2so4、50-60份nacl、1-5份加速剂、1-5份抑制剂以及1-5份整平剂；所述加速剂为聚二硫二丙烷磺酸钠、噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠以及3-巯基-1-丙烷磺酸钠中的任意一种；所述抑制剂为聚乙二醇、聚丙二醇以及脂肪醇聚氧乙烯醚中的任意一种；所述整平剂为氯化硝基四氮唑蓝。